| 主权项 |
1.一种薄膜电容,乃属于具有形成在所定面的下部电极、和形成在前述下部电极上的介电质层、和形成在前述介电质层上的上部电极的薄膜电容,其特征为:前述下部电极的端部是用前述介电质层以外的绝缘体被覆的。2.一种薄膜电容,乃属于具有形成在所定面的下部电极、和形成在前述下部电极上的介电质层、和形成在前述介电质层上的上部电极的薄膜电容,其特征为:前述下部电极的端部是用前述介电质层以外的绝缘体被覆的,且在前述介电质层和前述下部电极之间形成阻隔层。3.一种薄膜电容,乃属于具有形成在所定面的下部电极、和形成在前述下部电极上的介电质层、和形成在前述介电质层上的上部电极的薄膜电容,其特征为:在前述下部电极的端部与前述上部电极的一部分为交叉的部分的下部电极和上部电极之间,形成前述介电质层以外的绝缘体。4.一种薄膜电容,乃属于具有形成在所定面的下部电极、和形成在前述下部电极上的介电质层、和形成在前述介电质层上的上部电极的薄膜电容,其特征为:在前述下部电极的端部与前述上部电极的一部分为交叉的部分的下部电极和上部电极之间,形成前述介电质层以外的绝缘体,且在前述介电质层和前述下部电极之间形成阻隔层。5.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,接合在前述绝缘体的前述下部电极侧的端部是形成在比前述下部电极的端部更内侧。6.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述绝缘体是聚醯亚胺树脂。7.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述绝缘体是苯环丁烯聚合体。8.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述绝缘体是种包括具有以一般式(化1)所示的复数种苯乙烯基的交连成份,更使有含有重量平均分子量5000以上的高分子量体的低介电正接树脂组成物,(化1)(但R是表示可为具有置换基的烃架构,R1是表示氢、甲基、乙基的任一种,m是表示1至4,n是表示2以上的整数)。9.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述介电质为Ta2O5。10.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述下部电极为铜。11.如申请专利范围第2项或第4项所述的薄膜电容,其中,前述阻隔层为铬。12.如申请专利范围第2项或第4项所述的薄膜电容,其中,前述下部电极、前述介电质层、前述阻隔层的厚度关系为下部电极>介电质层>阻隔层。13.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述下部电极、前述绝缘体的厚度关系为绝缘体>下部电极。14.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述下部电极、前述上部电极的厚度为3m以上。15.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述介电质和前述绝缘体是用同一有机材料,厚度关系为介电质<绝缘体。16.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,保护前述下部电极端部部分的材质和前述绝缘体为同一有机材料。17.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述介电质的电容率和前述绝缘体的电容率为介电质≧绝缘体。18.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述介电质的面积、前述下部电极的面积、前述绝缘体的下部电极上开口部的面积和前述上部电极的面积为介电质≧下部电极>绝缘体的下部电极上开口部>上部电极。19.如申请专利范围第1项至第4项的任一项所述的薄膜电容,其中,前述介电质的厚度和前述绝缘体的厚度为绝缘体>介电质。20.一种电子电路零件,其特征为:具有在所定位置设有复数个贯通孔的基板、和形成在其单侧或两侧的一个或复数个电容元件、感应器元件及电阻元件、和设在供导电连接基板两侧的前述基板的贯通孔内部的导体部、和供导电连接前述电容元件、感应器元件、电阻元件及导体部的配线、和供令前述元件及配线间绝缘的层间绝缘层、和供输出入电子信号的外部电极;且具有前述电容元件、前述感应器元件和前述电阻元件介着前述层间绝缘层而积层,前述电容元件的至少一个形成在所定面的下部电极、和形成在前述下部电极上的介电质层、和形成在前述介电质层上的上部电极;且前述下部电极的端部是用前述介电质层以外的绝缘体被覆的。21.一种电子电路零件,其特征为:具有在所定位置设有复数个贯通孔的基板、和形成在其单侧或两侧的一个或复数个电容元件、感应器元件及电阻元件、和设在供导电连接基板两侧的前述基板的贯通孔内部的导体部、和供导电连接前述电容元件、感应器元件、电阻元件及导体部的配线、和供令前述元件及配线间绝缘的层间绝缘层、和供输出入电子信号的外部电极;且具有前述电容元件、前述感应器元件和前述电阻元件介着前述层间绝缘层而积层,前述电容元件的至少一个形成在所定面的下部电极、和形成在前述下部电极上的介电质层、和形成在前述介电质层上的上部电极;且前述下部电极的端部是用前述介电质层以外的绝缘体被覆的,并且在前述介电质层和前述下部电极之间形成阻隔层。22.一种电子电路零件,其特征为:具有在所定位置设有复数个贯通孔的基板、和形成在其单侧或两侧的一个或复数个电容元件、感应器元件及电阻元件、和设在供导电连接基板两侧的前述基板的贯通孔内部的导体部、和供导电连接前述电容元件、感应器元件、电阻元件及导体部的配线、和供令前述元件及配线间绝缘的层间绝缘层、和供输出入电子信号的外部电极;且具有前述电容元件、前述感应器元件和前述电阻元件介着前述层间绝缘层而积层,前述电容元件的至少一个形成在所定面的下部电极、和形成在前述下部电极上的介电质层、和形成在前述介电质层上的上部电极;且在前述下部电极的端部与前述上部电极的一部分为交叉的部分的下部电极和上部电极之间,形成前述介电质层以外的绝缘体。23.一种电子电路零件,其特征为:具有在所定位置设有复数个贯通孔的基板、和形成在其单侧或两侧的一个或复数个电容元件、感应器元件及电阻元件、和设在供导电连接基板两侧的前述基板的贯通孔内部的导体部、和供导电连接前述电容元件、感应器元件、电阻元件及导体部的配线、和供令前述元件及配线间绝缘的层间绝缘层、和供输出入电子信号的外部电极;且具有前述电容元件、前述感应器元件和前述电阻元件介着前述层间绝缘层而积层,前述电容元件的至少一个形成在所定面的下部电极、和形成在前述下部电极上的介电质层、和形成在前述介电质层上的上部电极;且在前述下部电极的端部与前述上部电极的一部分为交叉的部分的下部电极和上部电极之间,形成前述介电质层以外的绝缘体,并且在前述介电质层和前述下部电极之间形成阻隔层。24.一种无线端末装置,其特征为:使用如申请专利范围第20项至第23项的任一项所述的电子电路零件。25.一种无线基地局装置,其特征为:使用如申请专利范围第20项至第23项的任一项所述的电子电路零件。26.一种无线计测装置,其特征为:使用如申请专利范围第20项至第23项的任一项所述的电子电路零件。图式简单说明:第1图是习知薄膜电容的断面模式图。第2图是习知薄膜电容的断面模式图。第3-1.3-2-a、3-2-b图是本发明之一实施例的电子电路零件的断面模式图。第4-1.4-2-a、4-2-b图是本发明之一实施例的电子电路零件的断面模式图。第5-1.5-2-a、5-2-b图是本发明之一实施例的电子电路零件的断面模式图。第6图是本发明之一实施例的电子电路零件的断面模式图。第7图是本发明之一实施例的电子电路零件的断面模式图。第8图是本发明之一实施例的电子电路零件的断面模式图。第9图是本发明之一实施例的电子电路零件的断面模式图。第10图是表示各自指令不良率的图表。 |
