| 主权项 |
1.一种在半导体制造过程中处理晶圆的方法,此方法包括:从多工作站处理工具收集一组处理速率资料,该组资料含来自处理工具中至少两处工作站的处理速率资料;将此收集之处理速率资料传送至一控制器;自动比较该处理速率资料以决定是否调整其处理参数;以及调整至少一工作站的处理参数以配合该至少一工作站的处理结束点。2.如申请专利范围第1项之方法,其中从多工作站处理工具收集该组处理资料之步骤包括从选自含:化学-机械研磨工具和多室蚀刻工具之群组的处理工具收集该组处理资料之步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中收集该组处理速率资料之步骤包括收集有关一处理结束点之经过时间的资料之步骤。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该处理工具为选用化学-机械研磨工具,而该处理参数系选自含向下压力、研磨台马达电流、和托架马达电流之群组的处理参数。5.如申请专利范围第1项之方法,其中收集该组处理速率资料之步骤包括:在一段预定的处理期间产生取样资料;储存该取样资料;以及在一段预定时间结束后报告该储存资料至一控制器。6.如申请专利范围第5项之方法,其中报告该储存资料至一控制器之步骤包括报告该资料至能够调整至少一种参数之控制器之步骤。7.如申请专利范围第1项之方法,其中之该半导体制造过程包括一部分的高级处理控制系统。8.如申请专利范围第7项之方法,其中收集该组处理速率资料之步骤包括发布至少一资料收集计划、一工作时间计划、一报告计划、以及一取样计划之步骤。9.如申请专利范围第7项之方法,其中处理至少一种处理参数之步骤包括:消灭第一个控制计划;以及发布第二个控制计划包括含调整处理参数之控制配方。10.如申请专利范围第1项之方法,其中:收集该组处理速率资料之步骤包括在第一次运转中收集该组处理资料;以及调整至少一种处理参数包括在第二次运转中调整至少一种参数。11.一种程式储存媒体,此程式储存媒体系编码有指令,该指令由计算装置执行时即施行在半导体制造过程中进行处理晶圆的方法,此方法包括:从多工作站处理工具收集一组处理速率资料,该组资料含来自处理工具中至少两处工作站的处理速率资料;将此收集之处理速率资料传送至一控制器;自动比较该处理速率资料以决定是否调整其处理参数;以及调整至少一工作站的处理参数以配合该至少一工作站的处理结束点。12.如申请专利范围第11项之程式储存媒体,其中在编码的方法中从多工作站处理工具收集该组处理资料之步骤包括从选自含:化学-机械研磨工具和多室蚀刻机之群组的处理工具收集该组处理资料之步骤。13.如申请专利范围第11项之程式储存媒体,其中在编码的方法中收集该组处理速率资料之步骤包括收集有关一处理结束点之经过时间的资料之步骤。14.如申请专利范围第12项之程式储存媒体,其中在编码的方法中该处理工具系选用该化学-机械研磨工具,而该处理参数,系选自含向下压力、研磨台马达电流、和托架马达电流之群组的处理参数。15.如申请专利范围第11项之程式储存媒体,其中在编码的方法中收集该组处理速率资料之步骤包括:在一段预定的处理期间产生取样资料;储存该取样资料;以及在一段预定时间结束后报告该储存资料至一控制器。16.如申请专利范围第15项之程式储存媒体,其中在编码的方法中报告该储存资料至一控制器之步骤包括报告该资料至能够调整至少一种参数之控制器之步骤。17.如申请专利范围第11项之程式储存媒体,其中该半导体制造过程包括一部分的高级处理控制系统。18.如申请专利范围第17项之程式储存媒体,其中在编码的方法中收集该组处理速率资料之步骤包括发布至少一资料收集计划、一工作时间计划、一报告计划、以及一取样计划之步骤。19.如申请专利范围第17项之程式储存媒体,其中在编码的方法中处理至少一种处理参数之步骤包括:消灭第一个控制计划;以及发布第二个控制计划包括含调整处理参数之控制配方之步骤。20.如申请专利范围第11项之程式储存媒体,其中:在编码的方法中收集该组处理速率资料之步骤包括在第一次运转中收集该组处理资料;以及在编码的方法中调整至少一种处理参数包括在第二次运转中调整至少一种参数之步骤。21.如申请专利范围第11项之程式储存媒体,其中该可电脑读取程式储存媒体包括一片磁性媒体和一片光学媒体。22.如申请专利范围第11项之程式储存媒体,其中该可电脑读取程式储存媒体包括磁性媒体以及选自含一磁碟和一硬碟之群组。23.如申请专利范围第11项之程式储存媒体,其中该可电脑读取程式储存媒体包括光学媒体以及选自含一唯读记忆体光碟(CD ROM)、一写一次读多次光碟(CD WORM)、和一多样化数位光碟(DVD)之群组。24.一种程式化计算装置,系在半导体制造过程中进行处理一晶圆的方法,此方法包括:从多工作站处理工具收集一组处理速率资料,该组资料含来自处理工具中至少两处工作站的处理速率资料;将此收集之处理速率资料传送至一控制器;自动比较该处理速率资料以决定是否调整其处理参数;以及调整至少一工作站的处理参数以配合该至少一工作站的处理结束点。25.如申请专利范围第24项之程式化计算装置,其中在程式化的方法中从多工作站处理工具收集该组处理资料之步骤包括从选自含:化学-机械研磨工具和多室蚀刻工具之群组的处理工具收集该组处理资料之步骤。26.如申请专利范围第24项之程式化计算装置,其中在程式化的方法中收集该组处理速率资料之步骤包括收集有关一处理结束点之经过时间的资料之步骤。27.如申请专利范围第25项之程式化计算装置,其中在程式化的方法中,该处理工具为选自该化学-机械研磨工具,而该处理参数系选自含向下压力、研磨台马达电流、和托架马达电流之群组的处理参数。28.如申请专利范围第24项之程式化计算装置,其中在程式化的方法中收集该组处理速率资料之步骤包括:在一段预定的处理期间产生取样资料;储存该取样资料;以及在一段预定时间结束后报告该储存资料至一控制器。29.如申请专利范围第28项之程式化计算装置,其中在程式化的方法中报告该储存资料至一控制器之步骤包括报告该资料至能够调整至少一种参数之控制器之步骤。30.如申请专利范围第24项之程式化计算装置,其中该半导体制造过程包括一部分的高级处理控制系统。31.如申请专利范围第30项之程式化计算装置,其中在程式化的方法中收集该组处理速率资料之步骤包括发布至少一资料收集计划、一工作时间计划、一报告计划、以及一取样计划之步骤。32.如申请专利范围第30项之程式化计算装置,其中在程式化的方法中处理至少一种处理参数之步骤包括:消灭第一个控制计划;以及发布第二个控制计划包括含调整处理参数之控制配方之步骤。33.如申请专利范围第24项之程式化计算装置,其中:在程式化的方法中收集该组处理速率资料之步骤包括在第一次运转中收集该组处理资料;以及在程式化的方法中调整至少一种处理参数包括在第二次运转中调整至少一种参数之步骤。34.如申请专利范围第24项之程式化计算装置,其中该程式化计算装置为下列之一:一台独立电脑;以及一嵌设式处理器。35.如申请专利范围第24项之程式化计算装置,其中该程式化计算装置包括独立式电脑,而该独立式电脑为选自含一工作站、一桌上型个人电脑、一笔记型电脑、一膝上型电脑、和一掌上型电脑之群组。36.如申请专利范围第24项之程式化计算装置,其中该程式化计算装置进一步以选自含视窗、微软磁碟作业系统、作业系统/2-UNIX、或麦金塔作业系统之群组的一作业系统加以程式化。37.如申请专利范围第24项之程式化计算装置,其中该程式化计算装置包括独立式电脑,以及在滙流排系统之一上和根据选自含乙太网路、RAMBUS、火线、符记环、直滙流排协定、RS232.SECS、和GEM之群组的一标准网路作业系统上控制其研磨工具。38.如申请专利范围第24项之程式化计算装置,其中该程式化计算装置包括嵌设式处理器,其选自含一微处理机、一数位信号处理器、或一微控器之群组。图式简单说明:第1图表示根据本发明多工作站处理工具之特定具体例的概念图;第2A图和第2B图分别表示化学-机械研磨操作中晶圆的平坦化过程;其中,第2A图表示平坦化前,第2B图表示平坦化后之剖视图;第3A图表示化学-机械研磨工具的俯视平面图,第3B图为沿着第3A图中3B-3B剖线观察的剖视图,表示本发明一特定具体例之化学-机械研磨作业中的操作情形;第4图为根据本发明之作业方法的说明图;而第5图为根据本发明特定具体例而执行之处理流程的说明图。 |
