| 主权项 |
1.一种用于制造具有包括一绝缘金属氧化物膜之一元件之一电子装置之方法,其中在形成绝缘金属氧化物膜的步骤后执行的清洗步骤中使用乾洗。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该元件在清洗步骤中至少部份曝露。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该乾洗系灰化、Ar空气溶胶清洗、CO2清洗、UV(紫外线)清洗或使用CO2在特别状态下清洗。4.一种用于制造具有包括一绝缘金属氧化物膜之一元件之一电子装置之方法,包括步骤:形成一中间层绝缘膜以便在元件形成后覆盖该元件,其中在形成中间层绝缘膜步骤后执行的清洗步骤中使用乾洗。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该中间层绝缘膜在清洗步骤中至少部份曝露。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该乾洗系灰化、Ar空气溶胶清洗、CO2清洗、UV清洗或使用CO2在特别状态下清洗。7.一种用于制造具有包括一绝缘金属氧化物膜之一元件之一电子装置之方法,其中在形成绝缘金属氧化物膜的步骤后执行的清洗步骤中使用实质上不含水的清洗溶液。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该元件在清洗步骤中至少部份曝露。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该清洗溶液系一有机溶剂。10.一种用于制造具有包括一绝缘金属氧化物膜之一元件之一电子装置之方法,包括步骤:形成一中间层绝缘膜以便在元件形成后覆盖该元件,其中在形成中间层绝缘膜步骤后执行的清洗步骤中使用实质上不含水的清洗溶液。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该中间层绝缘膜在清洗步骤中至少部份曝露。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该清洗溶液系一有机溶剂。13.一种用于制造具有包括一绝缘金属氧化物膜之一元件之一电子装置的方法中之方法,其中在形成绝缘金属氧化物膜步骤后执行的清洗步骤中至少使用以下清洗之一:使用有机溶剂的有机清洗、Ar空气溶胶清洗、CO2清洗、UV清洗及在特别状态下使用CO2清洗;并且在清洗步骤中不使用灰化清洗。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该元件在清洗步骤中至少部份曝露。15.一种用于制造具有包括一绝缘金属氧化物膜之一元件之一电子装置之方法,包括步骤:形成一中间层绝缘膜以便在元件形成后覆盖该元件,其中在形成中间层绝缘膜步骤后执行的清洗步骤中至少使用以下清洗之一:使用有机溶剂的有机清洗、Ar空气溶胶清洗、CO2清洗、UV清洗及在特别状态下使用CO2清洗;并且在清洗步骤中不使用灰化清洗。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该中间层绝缘膜在清洗步骤中至少部份曝露。图式简单说明:图1A、1B及1C为断面图,显示根据本发明第一具体实施例制造电子装置方法的步骤;图2A、2B及2C为断面图,显示根据本发明第一具体实施例制造电子装置方法的步骤;图3为示意图,显示根据本发明第一具体实施例制造电子装置方法中使用的CO2清洗装置结构的例子;图4为示意图,显示根据本发明第一具体实施例制造电子装置方法中使用的UV(紫外线)清洗装置结构的例子;图5为示意图,显示根据本发明第一具体实施例制造电子装置方法中使用的Ar空气溶胶清洗装置结构的例子;图6显示根据本发明第一具体实施例制造电子装置方法中及传统制造电子装置方法之间铁电膜的极化特性的比较结果;图7A、7B及7C为断面图,显示传统制造电子装置方法的步骤;图8A、8B及8C为断面图,显示传统制造电子装置方法的步骤;及图9为传统制造电子装置方法中使用超纯水洗涤装置结构的一例子的示意图。 |
