| 主权项 |
1.一种制造以化学蒸气淀积法形成的薄膜所用先质之方法,其包括:将ZCl4与H(tmhd)3溶剂和烃溶剂混合形成溶液,此处Z为选自铪和锆之中的元素;将该溶液于氩气围中回流12小时;真空移除溶剂,由是制得一固体化合物;及将该化合物在200℃和0.1mmHg近真空下昇华。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该混合包括将50克,0.156莫耳的HfCl4和86克,0.468莫耳的H(tmhd)3在600毫升烃溶剂内混合以制造HfCl2(tmhd)3。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该混合包括将50克,0.156莫耳的HfCl4和58克,0.312莫耳的H(tmhd)在600毫升烃溶剂内混合以制造HfCl2(tmhd)2。4.一种在半导体器件上形成ZOx薄膜的方法,此处Z为选自铪和锆之中的元素;该方法包括:制备一适当的基板,包括于其上构成一半导体结构体;经由选自化学蒸气淀积法和原子层化学蒸气淀积法之中的方法,使用选自ZCl(tmhd)3和ZCl2(tmhd)2所构成的ZOx先质组合之中的ZOx先质在该半导体结构体上淀积一ZOx层;及完成该半导体器件。5.一种用于化学蒸气淀积法之ZOx先质,此处Z为选自铪和锆之中的元素,该ZOx先质包括:选自ZCl(tmhd)3和ZCl2(tmhd)2所构成的化合物组合之中的含Z化合物。图式简单说明:第1图绘示出HfCl(tmhd)3的EDS光谱。第2图绘示出HfCl2(tmhd)2的EDS光谱。第3图绘示出HfCl(tmhd)3的TGA光谱。第4图绘示出HfCl2(tmhd)2的TGA光谱。 |
