| 主权项 |
1.一种半导体装置系由具有为相同目的及相同导电MOS类型离子植入区之储存格阵列区与周边电路区所组成,其中之储存格阵列区含有:与在周边电路区所形成离子植入区有同样深度与剂量之第一离子植入区;及用做补偿区之第二离子植入区。2.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中之离子植入区系藉场离子植入过程或控制临界电压之离子植入过程来形成。3.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中之第二离子植入区是自一基板底部形成于第一离子植入区之上方。4.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中之第二离子植入区之深度与第一离子植入区之深度相同。5.根据申请专利范围第4项之半导体装置,其中之第一离子植入区含有11B+离子而第二离子植入区含有49BF2+离子。6.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中之每一元件均以矽局部氧化方法或浅槽隔离方法来隔开。7.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中之导电MOS类型为NMOS型或PMOS型。8.一种制造半导体装置之方法,该方法包括下列步骤:形成一第一光罩,其用以曝露一半导体基板之一单元阵列区及一周边电路区,该单元阵列区及该周边电路区具有一相同导电MOS型;使用该第一光罩于该单元阵列区及该周边电路区中实施一前离子植入制程,该前离子植入制程具有对应于该单元阵列区及该周边电路区中之一的第一植入设计规格之离子植入参数;形成一第二光罩,其用以遮蔽该单元阵列区及该周边电路区中之一区,以及用以曝露该单元阵列区及该周边电路区中之另一区;使用该第二光罩于该单元阵列区及该周边电路区之该另一区中实施一后离子植入制程,该后离子植入制程具有离子植入参数,其用以对该前植入制程之离子植入参数间之差及该单元阵列区与该周边电路区之该另一区的第二植入设计规格做补偿。9.如申请专利范围第8项之制造半导体装置之方法,其中该等第一植入设计规格系针对该周边区,以及其中该前离子植入制程包括用以控制一临界电压之一井区形成离子植入制程、一场区离子植入制程及一离子植入制程。10.如申请专利范围第9项之制造半导体装置之方法,其中该后离子植入制程包括用以控制一临界电压之该场区离子植入制程及该离子植入制程之补偿。11.如申请专利范围第10项之制造半导体装置之方法,其中用以补偿该场区离子植入制程之该等后离子植入制程之一能量値系大约为在没有该前离子植入制程时用以完成该等第二植入设计规格所需之一能量値之0.7~1倍。12.如申请专利范围第11项之制造半导体装置之方法,其中用以补偿该场区离子植入制程之该后离子植入制程之一能量値系大约为在没有该前离子植入制程时用以完成该等第二植入设计规格所需之一能量値之0.85 ~ 1倍。13.如申请专利范围第10项之制造半导体装置之方法,其中针对该场区离子植入之该前及后离子植入制程之所供应剂量之总和系大约为在没有该前离子植入制程时用以完成该等第二植入设计规格所需之剂量之1~1.3倍。14.如申请专利范围第10项之制造半导体装置之方法,其中用以控制该临界値之该前及后离子植入制程之剂量总和系大约为在没有该前离子植入制程时用以完成该等第二植入设计规格所需之剂量之0.95~1.05倍。15.如申请专利范围第8项之制造半导体装置之方法,其中该前离子植入之一离子植入角系离法线大约为7度。16.如申请专利范围第8项之制造半导体装置之方法,其中该后离子植入之一离子植入角系离法线大约为0度。17.如申请专利范围第8项之制造半导体装置之方法,更包括使用一LOCOS(区域矽氧化)制程或一浅沟槽绝缘(STI)制程来绝缘该半导体装置之每一元件。18.如申请专利范围第8项之制造半导体装置之方法,更包括使用一浅沟槽绝缘(STI)制程来绝缘该半导体装置之每一元件,其中该后离子植入制程系一用以控制一临界电压之离子植入制程。19.一种制造半导体装置之方法,该方法包括:形成一第一光罩,其用以曝露一半导体基板之一单元阵列区及一周边电路区,该单元阵列区及该周边电路区具有一相同导电MOS型;使用该第一光罩在该单元阵列区及该周边电路区中实施一第一离子植入,以形成一井区、实施一第二离子植入,以形成一场区以及实施一第三离子植入,以控制一临界电压,其中该第一、第二及第三离子植入之离子植入参数系对应于该周边电路区之植入设计规格,及包括一离法线有7度之植入角;形成一第二光罩,其用以遮蔽该周边电路区及用以曝露该单元阵列区;及使用该第二光罩在该单元阵列区中实施一第四离子植入,用以形成一场区及实施一第五离子植入,用以控制一临界电压,其中第四及第五离子植入之离子植入参数用以对该二及第三植入制程之离子植入参数间之差及该单元阵列区之植入设计规格实施补偿,并且包括一离法线有0度之植入角。20.如申请专利范围第19项之制造半导体装置之方法,其中该导电MOS型系一NMOS型。21.如申请专利范围第19项之制造半导体装置之方法,其中该导电MOS型系一PMOS型。22.一种制造半导体装置之方法,该方法包括:提供一基板,其包括一单元阵列区、一第一周边电路区及一第二周边电路区;遮蔽该第二周边电路区,及对该单元阵列区及该第一周边电路区实施该第一离子植入制程,其中该第一离子植入制程之参数系设定用以完成该第一周边电路区中之第一设计植入规格;遮蔽该单元阵列区及该第一周边电路区,及对该第二周边电路区实施至少一第二离子植入制程,其中该第二离子植入制程之参数系设定成用以完成该第二周边电路区中之第二设计植入规格;及遮蔽该第一周边电路区及该第二周边电路区,及对该单元阵列区实施至少一第三离子植入制程,其中该第三离子植入制程之参数系设定成用以对该单元阵列区中之第三设计植入规格及该第一周边电路区中之第一设计植入规格间之差实施补偿。23.如申请专利范围第22项之制造半导体装置之方法,其中该单元阵列区及该第一周边电路区系PMOS区,及该第二周边电路区系一NMOS区。24.如申请专利范围第23项之制造半导体装置之方法,其中该等第一离子植入制程包括一N-井区形成制程,其用以形成N-井区于该单元阵列区及该第一周边电路区中,以及其中该第三离子植入制程并没有对藉由该等第一离子植入制程之N-井区形成制程在该单元阵列区中所形成之该N-井区之植入规格做补偿。25.如申请专利范围第24项之制造半导体装置之方法,其中该第一离子植入制程更包括一场区离子植入制程及一临界电压调整离子植入制程,以及其中该第三离子植入制程对藉由该等第一离子植入制程之该场区离子植入制程及该临界电压调整离子植入制程所形成之该单元阵列区中之植入规格做补偿。26.如申请专利范围第22项之制造半导体装置之方法,其中该单元阵列区及该第一周边电路区系NMOS区,以及该第二周边电路区系一PMOS区。27.如申请专利范围第26项之制造半导体装置之方法,其中该等第一离子植入制程包括一P-井区形成制程,其用以形成P-井区于该单元阵列区及该第一周边电路区中,以及其中该等第三离子植入制程并没有对藉由该等第一离子植入制程之该P-井区形成制程在该单元阵列区中所形成之该P-井区之植入规格做补偿。28.如申请专利范围第27项之制造半导体装置之方法,其中该等第一离子植入制程更包括一场区离子植入制程及一临界电压调整离子植入制程,以及其中该第三离子植入制程对藉由该等第一离子植入制程之该场区离子植入制程及该临界电压调整离子植入制程所形成之该单元阵列区中之植入规格做补偿。图式简单说明:图1A至1C示出以传统方法在储存格阵列区与周边电路区上植入离子之方法;图2A至2C示出按照本发明之一实例在储存格阵列区与周边电路区上植入离子之方法;图3为一半导体装置之断面图示出施加能量与离子植入深度间之关系来解说本发明之原则;图4为一半导体装置之断面图示出离子植入角度与离子植入深度间之关系来解说本发明之原则;图5所示为一曲线图说明在场城内按照所加能量与离子植入角度情形下植入离子之变化;图6所示为一曲线图说明在作用区内按照离子植入角度情形下植入离子之变化;及图7为一半导体装置之断面图示出按照本发明之一实例之植入离子区。 |
