| 主权项 |
1.一种半导体基板之制造方法,是具有持有第1热膨胀系数之支持基板,和形成于上述支持基板上的绝缘体层,和形成于该绝缘体层上之持有第2热膨胀系数的单晶半导体层的半导体基板之制造方法,其特征为:于上述支持基板上形成上述单晶半导体层,且于上述单晶半导体层之规定区域的周边形成沟,然后施予热处理。2.如申请专利范围第1项所记载之半导体基板之制造方法,其中,上述热处理是在700℃~1200℃之范围下进行。3.如申请专利范围第1项或第2项所记载之半导体基板之制造方法,其中,上述规定区域之周边为上述半导体基板之外周。4.如申请专利范围第1项或第2项所记载之半导体基板之制造方法,其中,上述规定区域之周边为元件分离区域。5.如申请专利范围第1项或第2项所记载之半导体基板之制造方法,其中,上述沟的宽度于上述半导体基板热处理时,在上述规定区域内所发生之宽度,是比持有上述第1热膨胀系数之支持基板和持有上述第2热膨胀系数之单晶半导体层的热膨胀差还大。6.如申请专利范围第1项或第2项所记载之半导体基板之制造方法,其中,上述热处理是在氧化环境下进行。7.如申请专利范围第6项所记载之半导体基板之制造方法,其中,以上述氧化环境中之热处理工程进行上述单晶半导体层之膜厚调整。8.一种半导体基板之制造方法,是具有持有第1热膨胀系数之支持基板,和形成于上述支持基板上的绝缘体层,和形成于该绝缘体层上之持有第2热膨胀系数的单晶半导体层的半导体基板之制造方法,其特征为:包含有在上述半导体基板中之温度朝向持有上述第1热膨胀系数之支持基板和上述第2热膨胀系数之单晶半导体层中热膨胀系数较小之一方而变大之状态下,执行热处理之工程。9.一种半导体基板,其特征为:在形成有绝缘体层的支持基板上,夹着沟而配置有第1单结晶半导体层与第2单结晶半导体层;上述沟的宽度,是在上述支持基板与上述第1单结晶半导体层的热膨胀差为热膨胀差1,上述支持基板与上述第2单结晶半导体层的热膨胀差为热膨胀差2时,设定为(热膨胀1+热膨胀2)/2。10.一种半导体基板,是具有持有第1热膨胀系数之支持基板,和形成于上述支持基板上的绝缘体层,和形成于该绝缘体层上之持有第2热膨胀系数的单晶半导体层的半导体基板,其特征为:上述绝缘层之至少一部分是由在至少1200℃以下之环境下具有流动性或是弹性之物质所构成。11.如申请专利范围第10项所记载之半导体基板,其中,上述绝缘体层的至少一部份是由PSG或BSG或BPSG所构成。12.如申请专利范围第9项或第10项所记载之半导体基板,其中,上述单晶半导体层为单晶矽。13.如申请专利范围第9项或第10项所记载之半导体基板,其中,上述支持基板为透光性基板。14.如申请专利范围第9项或第10项所记载之半导体基板,其中,上述支持基板为玻璃基板。15.如申请专利范围第9项或第10项所记载之半导体基板,其中,上述支持基板为石英基板。16.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板,其中,形成于上述半导体基板之外周之沟的宽度为120m以上。17.如申请专利范围第15项所记载之半导体基板,其中,形成于上述元件分离区域之沟的宽度为0.1m以上。18.一种光电装置,其特征为:是具备有在申请专利范围第12项至第17项所记载之半导体基板与对向基板之间挟持光电物质而形成,并在上述支持基板之单晶半导体层之画像显示区域上对应着画素配列而被配置成矩阵状的多数第1开关元件;和被配置在位于上述画像显示区域之周边的周边区域上,至少部分性地构成周边电路的多数第2开关元件,构成上述第1开关元件之画像显示区域之单晶半导体层的厚度,是比构成上述第2开关元件之周边区域之单晶半导体层薄。19.一种电子机器,其特征为:具备有光源;和射入自上述光源所射出之光而施予对应着画像资讯之调制的申请专利范围的18项所记载之光电装置;和投射藉由上述光电装置而所调制之光的投射手段。图式简单说明:第1图(A)~(D)各表示本发明之实施形态1所涉及之半导体之制造方法的工程剖面图。第2图(A)~(C)各表示本发明之实施形态1及其变形例所涉及之半导体之制造方法的工程剖面图。第3图是从对向基板侧观看本发明之实施形态3所涉及之液晶装置及被形成于其上之各构成要素的平面图。第4图是第3图之H-H'剖面图。第5图是液晶装置之画像显示区域中,被形成矩阵状所配置之多数画素的各种元件、配线等之等效电路图。第6图是表示液晶装置中,被形成在主动矩阵基板上之各画素构成的平面图。第7图是在相当于第6图之A-A'线的位置上切断第3图及第4图所示之液晶装置之画像显示区域之一部分时的剖面图。第8图是形成于第3图及第4图所示之晶装置之画像显示区域之周边区域上的电路平面图。第9图是第8图所示之驱动电路用之MIS型电晶体之剖面图。第10图(A)~(D)是表示使用于第3图及第4图所示之液晶装置的主动矩阵基板之制造方法的工程剖面图。第11图(A)~(C)是表示使用于第3图及第4图所示之液晶装置之主动矩阵基板之制造方法的工程剖面图。第12图(A)~(C)是表示使用于第3图及第4图所示之液晶装置之主动矩阵基板之制造方法的工程剖面图。第13图(A)~(C)是表示使用于第3图及第4图所示之液晶装置之主动矩阵基板之制造方法的工程剖面图。第14图(A)、(B)是表示使用于第3图及第4图所示之液晶装置之主动矩阵基板之制造方法的工程剖面图。第15图是表示将本发明所涉及之液晶装置当作显示部使用的电子机器之电路构成的方块图。第16图是表示当作使用本发明所涉及之液晶装置的电子机器之一例的投射型光电装置之光学系统构成的剖面图。 |
