发明名称 连续模式驰回转换器
摘要 本发明提供一种场效电晶体(FET)之电晶体(110),以于连续模式驰回转换器中用来减少该变压器第二边之电压下降。使用该FET电晶体使得该转换器更适合于低压之应用,因为该转换器第二边比传统式转换器受到较少之电源损失。该转换器亦具有一直流阻断电容器(117)用于进一步减少第二边之电源损失。
申请公布号 TW563288 申请公布日期 2003.11.21
申请号 TW088110747 申请日期 1999.06.25
申请人 LM艾瑞克生电话公司 发明人 克莱斯史瓦德斯乔
分类号 H02M3/335 主分类号 H02M3/335
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种具有一第一及一第二边之连续模式驰回转换器,该第二边包括一第二绕组(107),该第二边也包括一辅助绕组(108),其第一末端连接至一FET电晶体(110)闸极以及另一个,其第二末端连接至该FET电晶体(110)源极,其特征在于该第二边进一步包括一PNP电晶体(115),其射极被连接至该FET电晶体(110)闸极,其集极被连接至该FET电晶体源极,以及其基极连接至该辅助绕组之第一端点,以及一电容器(117)互连介于该辅助绕组(108)之第一端点及该FET电晶体(110)闸极之间。2.根据申请专利范围第1项之转换器,其特征在于一电阻器(119)或二极体被连接在该PNP电晶体(115)基极及射极之间。3.一种具有一第一及一第二边之连续模式驰回转换器,该第二边包括一第二绕组(107),该第二边也包括一连接至FET电晶体(110)闸极之辅助绕组(108),其特征在于一直流阻断电容器(117)在该辅助绕组(108)及该FET电晶体(110)闸极间互相连接。4.根据申请专利范围第1-3项中任何一项之转换器,其特征在于该转换器是一Cuk或SEPIC转换器而非一驰回转换器。图式简单说明:-图1系根据先前技艺之连续模式DC-DC转换器之电路图。-图2系具有作为整流元件之FET电晶体之连续模式DC-DC转换器之电路图。-图3系具有作为整流元件之FET电晶体及具有改良式驱动电路各部分之连续模式DC-DC转换器之电路图。
地址 瑞典