| 主权项 |
1.一种高纯度化学品再填充系统,包含:一第一金属容器,供储存诸高纯度化学品,其包含一入口、一出口及第一水位感应器,且产生至少一低水位信号和一高水位信号,该第一水位感应器设置于该第一金属容器内;一第二金属容器,供储存诸高纯度化学品,其包含一入口、一出口及第二水位感应器,且产生至少一低水位信号,该第二水位感应器设置于该第二金属容器内;一再填充管路,以可移离方式连接该第一金属容器之该入口以及该第二金属容器之该出口;一第一阀,其在该再填充管路中;一惰性气体压力源,供连通该第二金属容器之内部;一控制单元,电连通该第一水位感应器、该第二水位感应器以及该第一阀,其中该第一阀系开启,以回应该控制单元自该第一水位感应器所接收之低水位信号,而允许诸高纯度化学品输入该第一金属容器,接着,该第一开关闭,以回应该控制单元自该第一水位感应器所接收之高水位信号,而终上诸高纯度化学品之输入;以及一岐管,其包含:一输送气体管路,自该惰性气体压力源提供惰性气体予该第二金属容器;一第二阀,其设置于该再填充管路内,其中该第二阀可被关闭,以自部分该再填充管路隔离该第二金属容器之该出口阀;一第三阀,其设置于该输送气体管路内,其中该第三阀可被关闭,以自该第二金属容器之该入口阀隔离该惰性气体压力源;一供连接一真空源至该输送气体管路的装置;以及一供将该惰性气体压力源而真空源回流至至少部分该再填充管路的装置,该至少部分再填充管路并未被该第二阀所隔离。2.如申请专利范围第1项之高纯度化学品再填充系统,其中该第一金属容器包含不锈钢。3.如申请专利范围第2项之高纯度化学品再填充系统,其中该第二金属容器包含不锈钢。4.如申请专利范围第1项之高纯度化学品再填充系统,其中该第一阀为通常关闭之气动阀。5.如申请专利范围第1项之高纯度化学品再填充系统,其中该第二金属容器尚包含具有与该入口整装为一体之入口气动阀。6.如申请专利范围第1项之高纯度化学品再填充系统,其中该第二金属容器尚包含具有与该出口整装为一体之出口气动阀。7.如申请专利范围第1项之高纯度化学品再填充系统,其中该第一水位感应器为不锈钢金属浮筒感应器。8.如申请专利范围第1项之高纯度化学品再填充系统,其中该第二水位感应器为不锈钢金属浮筒感应器。9.一种再填充第一金属容器之方法,使用如申请专利范围第1项之高纯度化学品再填充系统,包含:以惰性气体,加压该第二金属容器;开启该第一阀,以回应该控制单元自该第一水位感应器所接收之低水位信号,而允许高纯度化学品自该第二金属容器输入该第一金属容器;以及关闭该第一阀,以回应该控制单元自该第一水位感应器所接收之高水位信号,而终止高纯度化学品自该第二金属容器输入该第一金属容器。10.一种高纯度化学品再填充系统,包含:一第一金属容器,供储存诸高纯度化学品,其包含一入口、一出口及第一水位感应器,且产生至少一低水位信号和一高水位信号,该第一水位感应器设置于该第一金属容器内;一第二金属容器,供储存诸高纯度化学品,其包含一入口、一出口及第二水位感应器,且产生至少一低水位信号,该第二水位感应器设置于该第二金属容器内;一再填充管路,以可移离方式连接该第一金属容器之该入口以及该第二金属容器之该出口;一第一阀,其在该再填充管路中;一惰性气体压力源,供连通该第二金属容器之内部;一控制单元,电连通该第一水位感应器、该第二水位感应器以及该第一阀,其中该第一阀系开启,以回应该控制单元自该第一水位感应器所接收之低水位信号,而允许诸高纯度化学品输入该第一金属容器,接着,该第一阀关闭,以回应该控制单元自该第一水位感应器所接收之高水位信号,而终止诸高纯度化学品之输入;以及一岐管,其包含:一处理管路隔离阀,其在该再填充管路中,以隔离该第二金属容器与部分该再填充管路:一输送气体隔离阀,供隔离该第二金属容器与该惰性气体压力源;一在该输送气体管路中之低压排气阀;以及一在该输送气体管路中之容器回流阀。11.如申请专利范围第10项之高纯度化学品再填充系统,其中该第一金属容器包含不锈钢。12.如申请专利范围第11项之高纯度化学品再填充系统,其中该第二金属容器包含不锈钢。13.如申请专利范围第10项之高纯度化学品再填充系统,其中该第一阀为通常关闭之气动阀。14.如申请专利范围第10项之高纯度化学品再填充系统,其中该第二金属容器尚包含具有与该入口整装为一体之入口气动阀。15.如申请专利范围第10项之高纯度化学品再填充系统,其中该第二金属容器尚包含具有与该出口整装为一体之出口气动阀。16.如申请专利范围第10项之高纯度化学品再填充系统,其中该第一水位感应器为不锈钢金属浮筒感应器。17.如申请专利范围第10项之高纯度化学品再填充系统,其中该第二水位感应器为不锈钢金属浮筒感应器。18.一种再填充第一金属容器之方法,利用如申请专利范围第10项之高纯度化学品再填充系统,包含:以惰性气体,加压该第二金属容器;开启该第一阀,以回应该控制单元自该第一水位感应器所接收之低水位信号,而允许高纯度化学品自该第二金属容器输入该第一金属容器;以及关闭该第一阀,以回应该控制单元自该第一水位感应器所接收之高水位信号,而终止高纯度化学品自该第二金属容器输入该第一金属容器。图式简单说明:图1为根据本发明一具体例之高纯度化学品再填充输送系统的示意图;图2为根据本发明一具体例之控制单元之控制面板的前视图;图3为五加仑式高纯度化学品容器的部分剖面侧视图;图4为一具体例之单一水位浮筒控制感应器于「开」位置的示意图;图5为本发明之一具体例之单一水位浮筒控制感应器于「关」位置的示意图;图6为根据本发明一具体例之可填充式安瓿的部分剖面侧视图;图7为图6中所示安瓿的上视图;图8为根据本发明另一具体例之可填充式安瓿的部分剖面概略侧视图;图9为根据本发明一较佳具体例之可填充式容器用金属水位开关总成的侧视图;图10为根据本发明另一具体例之可填充式容器用金属水位开关总成的侧视图;图11为根据本发明一具体例之集装容器用金属水位开关总成的侧视图;图12为根据本发明另一具体例之集装容器用金属水位开关总成的侧视图;图13为供现有半导体制造设备与一光学水位式感应器接触用之一般习知调整电路的示意图;图14为习知光学水位式感应器的电路示意图;图15.15A和15B为控制单元用之控制电路的示意图;图16为根据本发明一具体例之岐管架设的前视图;图17为供本发明一具体例用之岐管架设的前视图;以及图18为供本发明较佳具体例用之岐管架设的示意图。 |
