| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具有:具电极并列于平面方向,面朝下接合的多数半导体元件;形成具连接于上述半导体元件之上述电极之接合部,及电连接上述接合部之平坦部的配线图型之基板;及设于上述平坦部的外部电极;所有外部电极系仅设于任一半导体元件对应之领域内,于设有上述外部电极之领域所对应上述1个半导体元件中之电极之形成面之相反侧之面,系与其余半导体元件中之至少1个之上述电极之形成面之相反侧之面接着,上述基板为可挠性基板,一部分被弯曲,沿弯曲领域形成至少1个孔。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述各外部电极系设于上述半导体元件之搭载领域内。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中所有外部电极系设于所有半导体元件对应领域之外侧。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中上述基板为可挠性基板,形成较搭载上述多数半导体元件之领域大,于外周端部设有平坦保持构件。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述孔,系沿弯曲线延伸之长孔,上述配线图型,系通过上述孔上形成,上述长孔之沿上述弯曲线延伸之边,系成为外形端之一部分。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述孔形成多数,上述配线图型系通过上述多数孔上形成,上述多数孔,为沿弯曲线延伸之长孔,并列形成。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述基板,系沿弯曲领域形成有间隙,基板依该间隙被切断,于对向之切断端部间隔开间隔。8.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中设有横跨上述间隙之连接构件。9.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中介由上述孔,于上述配线图型设具柔软性之树脂,上述树脂系与上述基板同时弯曲。10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中介由导电性或热传导性接着剂,使上述半导体元件接着。11.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述半导体元件中之一个,其平面积较其他半导体元件为大,上述外部电极,仅设于上述平面积较大半导体元件对应之领域。12.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述半导体元件之电极,系介由接着剂分散有导电粒子之异方性导电材料连接上述接合部。13.一种半导体装置之制造方法,系包含以下工程:准备形成有具多数接合部及电连接上述接合部之多数平坦部的配线图型之基板,以及具电极之多数半导体元件的工程;至少于上述接合部上,设接着剂上分散有导电粒子之异方性导电材料的工程;于上述异方性导电材料中之上述接合部上定位上述电极,使上述半导体元件搭载于上述基板上的工程;压接上述半导体元件与上述基板之任一方,介由上述导电粒子,使上述接合部与电极做电连接的工程;及于上述平坦部形成外部电极的工程。14.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法,其中上述基板为可挠性基板,形成较搭载上述多数半导体元件之领域为大,包含于上述基板之外周端部设平坦保持构件的工程。15.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法,其中将上述半导体元件搭载于基板之工程后,包含令上述基板之一部分弯曲,使任一上述半导体元件中之电极形成面之相反侧之面,与其他1个上述半导体元件中之电极形成面之相反侧之面接着的工程。16.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其中上述基板,系于沿弯曲领域至少形成1个孔。17.一种安装有半导体装置之电路基板,其中,该半导体装置具有:具电极并列于平面方向,面朝下接合的多数半导体元件;形成具连接于上述半导体元件之上述电极之接合部,及电连接上述接合部之平坦部的配线图型之基板;及设于上述平坦部的外部电极;所有外部电极系仅设于任一半导体元件对应之领域内,于设有上述外部电极之领域所对应上述1个半导体元件中之电极之形成面之相反侧之面,系与其余半导体元件中之至少1个之上述电极之形成面之相反侧之面接着,上述基板为可挠性基板,一部分被弯曲,沿弯曲领域形成至少1个孔。18.一种具备半导体装置之电子机器,其中,该半导体装置具有:具电极并列于平面方向,面朝下接合的多数半导体元件;形成具连接于上述半导体元件之上述电极之接合部,及电连接上述接合部之平坦部的配线图型之基板;及设于上述平坦部的外部电极;所有外部电极系仅设于任一半导体元件对应之领域内,于设有上述外部电极之领域所对应上述1个半导体元件中之电极之形成面之相反侧之面,系与其余半导体元件中之至少1个之上述电极之形成面之相反侧之面接着,上述基板为可挠性基板,一部分被弯曲,沿弯曲领域形成至少1个孔。图式简单说明:图1A-1C:本发明适用之第1实施形态之半导体装置之图。图2A-2C:本发明适用之第2实施形态之半导体装置之图。图3A-3C:本发明适用之第3实施形态之半导体装置之图。图4:本发明适用之第3实施形态之变形例。图5:本发明适用之第4实施形态之半导体装置之图。图6A-6C:本发明适用之第4实施形态之半导体装置之展开图。图7:本发明适用之第5实施形态之半导体装置之展开图。图8:本发明适用之第6实施形态之半导体装置之展开图。图9:本发明适用之第7实施形态之半导体装置之展开图。图10:本发明适用之第8实施形态之半导体装置之图。图11:本发明适用之第9实施形态之半导体装置之图。图12:安装有本实施形态之半导体装置之电路基板之图。图13:具安装有本实施形态之半导体装置之电路基板的电子机器之图。 |
