| 主权项 |
1.一种半导体元件,包含:多数的电极连接于一半导体晶片正面的主动区;一树脂绝缘膜设在该主动区上;一金属保护膜覆盖该树脂绝缘膜的全部顶面及侧面;及一或多个反面的电连接部可导出该等电极中之至少一电位;而被设在该半导体晶片的反面上。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该等电极之所有电位皆会被反面的电连接部全部导引至该反面上。3.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该等电极中之一者系连接于该金属保护膜。4.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该等电极中相同电位的多数电极系连接于该金属保护膜。5.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该树脂绝缘膜系被设在该半导体晶片的全部正面上,而该金属保护膜会覆盖该树脂绝缘膜的顶面和侧面。6.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该树脂绝缘膜系被设在该半导体基材正面的某些部份上,而该金属保护膜会覆盖该树脂绝缘膜的顶面和侧面。7.如申请专利范围第6项之半导体元件,更包含:一正面之电连接部,系与该半导体晶片未设有该树脂绝缘膜之区域上的金属保护膜电隔离;其中该正面之电连接部系连接于反面的电连接部。8.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该半导体晶片的正面与反面之间的连接,系经由一贯穿该半导体晶片的连接孔来达成。9.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该半导体晶体的正面与反面之间的连接,系经由设在该半导体晶片侧面上之一侧面电连接部来达成。10.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该半导体元件系为一复合半导体。11.如申请专利范围第10项之半导体元件,其中该等电极乃包含一闸极电极,一源极电极,及一汲极电极,且该主动区会形成一场效应电晶体(FET)。12.如申请专利范围第11项之半导体元件,其中该源极电极系连接于金属保护膜,而该闸极电极与汲极电极会连接于反面的对应电连接部。13.如申请专利范围第11项之半导体元件,其中该等闸极电极、汲极电极、与汲极电极系多数地呈梳齿状排列,该等源极电极系连接于金属保护膜,而闸极电极与汲极电极会连接于反面的对应电连接部。14.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中有一基础层设在该金属保护膜与树脂绝缘膜之间。15.一种半导体元件,其中一半导体基材的正面上系保护性地覆设一树脂绝缘膜,且该树脂绝缘膜全部被覆设一具有防水性的金属保护膜。16.如申请专利范围第15项之半导体元件,其中该半导体晶片系为一复合半导体。17.一种半导体元件的制造方法,包含下列步骤:在一半导体晶片的正面上制成多数电极;以一树脂绝缘膜覆盖该半导体晶片的正面;以一金属保护膜覆盖该树脂绝缘膜的全部顶面和侧面;及在该半导体晶片的反面上制成该等电极之至少任一电连接部。18.如申请专利范围第17项之制造方法,其中当以该金属保护膜来覆盖树脂绝缘膜的侧面时,有一金属层会被设在该半导体晶片正面之一周边隔离区上。19.如申请专利范围第17项之制造方法,更包含以下步骤:由该树脂绝缘膜的顶面曝露出该等电极中之一要被连接于金属保护膜者。图式简单说明:第1A与1B图为第一实施例之晶片的示意图;第2A至2E图为第二实施例之晶片的示意图;第3图为一平面图示出第二实施例之晶片的制造方法;第4图为一剖视图示出第二实施例之晶片的制造方法;第5图为一剖视图示出第二实施例之晶片的制造方法;第6A与6B图为第二实施例之晶片的制程示意图;第7A与7B图为第三实施例之晶片的示意图;及第8A至8E图为一习知晶片的示意图; |
