| 主权项 |
1.一种电子线或X线用正型光阻剂组成物,其包括:(a)一藉由电子线或X线照射产生酸之化合物,(b1)一在藉由酸作用脱离的基中具有较对-乙基苯酚之离子化电位値小的离子化电位値之化合物残基且藉由酸作用增大在硷显像液中之溶解性的树脂,及(c)至少一种的通式(A)或通式(B)所示之缩醛化合物(其中,R1'及R2'系表示互相独立的碳数1~30之有机基)。2.如申请专利范围第1项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(b1)树脂系为使具有羟基之硷可溶性聚合物与通式(C)所示乙烯醚化合物及通式(D)所示醇化合物在酸触媒存在下反应所得的树脂,(于式(C)中R3'系表示碳数1~30之有机基,于式(D)中W系表示2价有机基,X系表示有机基,HO-X之离子化电位(Ip)値较对-羟基苯酚之Ip値小之基,n系表示0~4之整数,n为2~4时数个W可相同或不同)。3.一种电子线或X线用正型光阻剂组成物,其包括:(a)一藉由电子线或X线照射产生酸之化合物,(b2)具有以式(I)所示重复单位、藉由酸作用增大在硷显像液中之溶解性的树脂,(c)至少一种的上述通式(A)或通式(B)所示之缩醛化合物、(其中,R1系表示氢原子或甲基,R2及R3系各表示独立的氢原子或碳数1~4之烷基,W、X、n系与上述同义)。4.如申请专利范围第2项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中X系以式(II)表示,(其中,L系表示单键或伸烷基,Y系表示选自于下述式(A')~(E')之基)(其中,R4系各表示独立的碳数1~6之直链或支链烷基,n1系表示0~3之整数,n2系表示0~7之整数,n3系表示0~9之整数,n4系表示0~9之整数,n5系表示0~9之整数)。5.如申请专利范围第3项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中X系以上述式(II)所示。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(c)缩醛化合物之总量对(b1)或(b2)之聚合物总重量而言为0.1重量份~100重量份。7.如申请专利范围第1至5项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a1)系为含有(a1)以式(I')~(III')中任一式所示的藉由电子线或X线产生酸之化合物,(其中,R1~R37系表示相同或不同的氢原子、直链状、支链状或环状烷基、直链状、支链状或环状烷氧基、羟基、卤素原子、或-S-R38,R38系表示直链状、支链状或环状烷基或芳基,而且,R1~R15.R16~R27或R28~R37中可2个以上键结形成含有1种或2种以上选自单键、碳、氧,X-系为磺酸之阴离子)。8.如申请专利范围第1至5项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(c)缩醛化合物之总量对(b1)或(b2)聚合物之总重量而言为0.1重量份~100重量份,且(a)含有(a1)以(I')~(III')中任一式所示、藉由电子线或X线照射产生酸之化合物。9.一种电子线或X线用正型光阻剂组成物,其包括:(a2)以(I')~(IV')中任一式所示、藉由电子线或X线照射产生酸之化合物,(b1)一在藉由酸作用脱离的基中具有较对-乙基苯酚之离子化电位値小的离子化电位値之化合物残基且藉由酸作用增大在硷显像液中之溶解性的树脂,及(d)溶剂,(于式(I")中,Ar3.Ar4系各表示独立的经取代或未经取代的烷基、芳基、芳烷基或樟脑基,于(II")中,R206系表示经取代或未经取代的烷基、芳基、芳烷基或樟脑基,A系表示经取代或未经取代的伸烷基、伸烯基或伸芳基,于式(III")及(IV")中,R0.R系各表示独立的可具取代基之烷基或芳基)。10.如申请专利范围第9项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(b1)之树脂含有式(I)所示之重复单位,式(I)(其中,R1系表示氢原子或甲基,R2及R3系各表示独立的氢原子或碳数1~4之烷基,W、X、n系与上述相同)。11.如申请专利范围第9至10项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a2)之化合物产生芳香族磺酸。12.如申请专利范围第9至10项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a2)之化合物产生含氟之磺酸。13.如申请专利范围第9至10项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a2)之化合物产生芳香族磺酸及含氟之磺酸。14.如申请专利范围第9至10项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a2)之化合物产生含氟之芳香族磺酸。15.如申请专利范围第9至10项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中除(a2)之化合物外另含有(a1)以式(I')~(III')中任一式所示的藉由电子线或X线产生酸之化合物。16.如申请专利范围第9至10项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a2)之化合物会产生芳香族磺酸、且含有(a1)以式(I')~(III')中任一式所示的藉由电子线或X线产生酸之化合物。17.如申请专利范围第9至10项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a2)之化合物会产生含氟之磺酸、且含有(a1)以式(I')~(III')中任一式所示的藉由电子线或X线产生酸之化合物。18.如申请专利范围第9至10项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a2)之化合物产生芳香族磺酸及含氟之磺酸、且含有(a1)以式(I')~(III')中任一式所示的藉由电子线或X线产生酸之化合物。19.如申请专利范围第9至10项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a2)之化合物产生含氟之芳香族磺酸、且含有(a1)以式(I')~(III')中任一式所示的藉由电子线或X线产生酸之化合物。20.一种电子线或X线用正型光阻剂组成物,其包括:(a)一藉由电子线或X线照射产生酸之化合物、(b)一藉由酸作用增大在硷显像液中之溶解性的树脂、(c')一具有离子化电位(Ip)値较对-羟基苯酚之Ip値小的化合物残基且对酸而言安定的低分子化合物,(d)溶剂。21.如申请专利范围第20项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(c')之化合物以式(E)表示,式(E)(其中,X':系为H-X'之离子化电位(Ip)値较对-乙基苯酚之Ip値小的基,W:2价有机基,Z:独立的选自于-OH,-OR',-O-CO-R',-O-CO-OR',-O-CO-NH-Ra,-O-CO-N(Ra)(Rb),-NH-CO-R',-NH-CO-OR',-NH-SO2-R',-NRa-CO-R',-NRa-CO-OR',-NRa-SO2-R',-CO-OR',-CO-NH-Ra,-CO-NH-SO2-R,-CO-NRa-SO2-R',-CO-N(Ra)(Rb),-CN之基,R'、Ra、Rb:系各为独立的可具有取代基之碳数1~10之烷基或芳基、n:1~3之整数,n:为2~4时数个W可以相同或不相同)。22.如申请专利范围第21项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中式(E)中之X'系为选自于式(A')~(E')之基,(其中,R4系各表示独立的碳数1~6之直链或支链烷基,n1系表示0~3之整数,n2系表示0~7之整数,n3系表示0~9之整数,n4系表示0~9之整数,n5系表示0~9之整数)。23.如申请专利范围第20至22项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a)之化合物产生芳香族磺酸。24.如申请专利范围第20至22项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a)化合物产生含氟之磺酸。25.如申请专利范围第20至22项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a)化合物产生芳香族磺酸及含氟之磺酸。26.如申请专利范围第20至22项中任一项之电子线或X线用正型光阻剂组成物,其中(a)化合物产生含氟之芳香族磺酸。 |
