| 主权项 |
1.一种处理室,其至少包含:一基材支承,具有一基材承接表面;一处理室盖板,至少包含由该处理室盖板的一中心部向下延伸的一逐渐扩展通路,以及由该通路延伸至该处理室盖板一周边部份的一底面,该底面之形状及尺寸实质上覆盖该基材承接表面;一或多个以流体连接至该逐渐扩展通路之阀;及一或多个以流体连接至各个阀之气源。2.如申请专利范围第1项所述之处理室,更包含一或多个气体导管,其以流体连接至该一或多个阀与该通路,且系置放于与该通路之一纵轴呈正交处。3.如申请专利范围第2项所述之处理室,其中该一或多个气体导管系置放于与该通路一纵轴成一夹角处。4.如申请专利范围第1项所述之处理室,其中该处理室盖板之该底面至少包含一由该覆盖构件之该中心部部份延伸之倾斜面,该倾斜面至少包含由一直面、一内凹面、一外凸面或其组合之组成族中选出的一表面。5.如申请专利范围第1项所述之处理室,其中该通路之形状系一截头角锥状。6.如申请专利范围第1项所述之处理室,其中该通路至少包含一上部及一下部,该上部具有之内径小于该下部。7.如申请专利范围第1项所述之处理室,其中一共同清洁气源系耦接至该各阀且其中分隔之反应物气源系耦接至该各阀。8.如申请专利范围第1项所述之处理室,其中更包含一置放于该处理室邻近该底面周边处之阻气门。9.如申请专利范围第1项所述之处理室,其中该反应区的剖面面积从该通路至该反应区之该周边实质上系一致。10.一种处理室,其至少包含:一基材支承,具有一基材承接表面;一处理室盖板,至少包含由该处理室盖板的一中心部部份延伸的一渐扩通道,及至少包含一由该渐扩通道延伸至该处理室盖板一周边部部份的一倾斜底面;一或多个气体导管,置放围绕该渐扩通道的一上部,其中该一或多个气体导管经置放于与该渐扩通道的一中心成一夹角处;一或多个阀,耦接至该逐渐扩展通道;及一阻气门,置放于该处理室盖板上邻近该倾斜底面的一周边处。11.如申请专利范围第10项所述之处理室,其中该一或多个气体导管系置于与该渐扩通道一纵轴呈正交处。12.如申请专利范围第10项所述之处理室,其中该一或多个气体导管系置于与该渐扩通道一纵轴成一夹角处。13.如申请专利范围第10项所述之处理室,其中该反应区之剖面面积从该通路至该反应区之该周边实质上系一致。14.如申请专利范围第9项所述之处理室,其中该一或多个阀系装设于该处理室盖板上。15.如申请专利范围第9项所述之处理室,其中该一或多个阀系装设于该处理室本体下方。16.如申请专利范围第9项所述之处理室,其中更包含一适于容置含钽化合物之容器,该容器经维持在介于摄氏约60度与约70度间的一温度。17.一种在基材处理室传送气体至基材的方法,其至少包含下列步骤:提供一或多个气体进入该基材处理室,以一初始圆形方向越过该基材的一中心部份;经由非绝热膨胀减低该气体的速度;提供该气体至该基材的一中心部份;引导该气体从该基材之该中心部份以一实质上均匀的速度,径向越过该基材而至该基材的一周边部。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中一实质上均匀的速度至少包含一最大速度除以一最小速度为2的一比値。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中更包含提供该气体依一向下流动路径以一第二速度流向该基材中心部份的步骤,其中该第二速度小于该第一速度。20.如申请专利范围第17项所述之方法,其中更包含由该基材之边缘依一径向以一第三速度提供该气体的步骤,其中该第三速度大于该实质上均匀之速度。图式简单说明:第1图系处理室的一具体实施例之概略剖面图,包括适用于原子层沉积之气体传送设备。第2A图系置放于处理室盖板下表面之阻气门的具体实施例剖面图。第2B图系置放于处理室盖板下表面之阻气门的另一具体实施例剖面图。第3图系另一具体实施例之处理室的剖面图,包括适用于原子层沉积之气体传送设备。第4图显示阀入口及出口之概略剖面图。第5图系第4图所示之代表性阀之概略平面图。第6图系一具体实施例之阀的剖面图,显示阀内部组件及机构。第7图系膜片在开启位置与关闭位置间移动之相关图表。第8图系形成于本发明一具体实施例之气体传送设备内之渐扩通道水平剖面图。第9图系适于承接单一气流之渐扩通道的具体实施例之水平剖面图。第10图系适于承接三种气体流动之渐扩通道的具体实施例之水平剖面图。第11图系形成于本发明气体传送设备内之渐扩通道的剖面图。第12图显示介于基材表面与处理室盖板底面间的气体在二不同位置流动之概略剖面图。第13图系另一具体实施例之处理室的概略剖面图,包括适用于原子层沉积之气体传送设备。第14图显示另一具体实施例之处理室,包括适用于原子层沉积之气体传送设备。第15图系使用于本发明气体传送设备之气体连接盒的概略图。第16图系具体实施例之一容器,用于经由第15图中气体连接盒之昇华作用产生一气体。 |
