| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein einfach, schnell und dennoch sicher herstellbares Halbleiterbauelement, das insbesondere für Leistungsanwendungen verwendbar ist und aufweist einen Halbleiter-Chip (2, 12), eine auf einer ersten Seite (2a) des Halbleiter-Chips (2, 12) ausgebildete untere erste auptelektrodenschicht (3, 13), eine auf der ersten Seite (2a) ausgebildete untere Steuerelektrodenschicht (4, 14), eine auf der ersten Seite (2a) zwischen der unteren ersten Hauptelektrodenschicht (3, 13) und der unteren Steuerelektrodenschicht (4, 14) ausgebildete Isolationsschicht (5, 15), die die untere erste Hauptelektrodenschicht-(3, 13) teilweise bedeckt, eine obere erste Hauptelektrodenschicht (6, 16), die auf der unteren ersten Hauptelektrodenschicht (3, 13) ausgebildet ist, eine obere Steuerelektrodenschicht (7, 17), die auf der unteren Steuerelektrodenschicht (4, 14) und der Isolationsschicht (5, 15) ausgebildet ist und sich auf der Isolationsschicht (5, 15) teilweise oberhalb der unteren ersteh Hauptelektrodenschicht (3, 13) erstreckt, und eine auf einer zweiten Seite (2b) des Halbleiter-Chips (2, 12) ausgebildete zweite Hauptelektrodenschicht (9, 19).</p> |
