| 发明名称 | 绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 利用离子注入等向膜注入原子和热处理，形成高电介质膜。例如，在硅衬底(101)之上形成了热氧化膜即SiO<SUB>2</SUB>膜(102)后，从等离子体(105)向SiO<SUB>2</SUB>膜(102)内注入Zr离子(Zr<SUP>+</SUP>)。然后，通过进行SiO<SUB>2</SUB>膜(102)和Zr注入层(103)的退火处理，在Zr注入层(103)内注入的Zr扩散，SiO<SUB>2</SUB>膜(102)和Zr注入层(103)全体变为由Zr－Si－O(硅酸盐)构成的介电常数高的高电介质膜(106)。通过把该高电介质膜(106)作为MISFET的栅绝缘膜，能得到栅漏特性好的MISFET。 | ||
| 申请公布号 | CN1457508A | 申请公布日期 | 2003.11.19 |
| 申请号 | CN02800261.X | 申请日期 | 2002.02.01 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 江利口浩二 |
| 分类号 | H01L21/3105;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/316;H01L29/78;H01L27/088 | 主分类号 | H01L21/3105 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种绝缘膜的形成方法，其中包含：步骤(a)——在本导体衬底的表面区域至少导入氧，形成初期绝缘膜；和步骤(b)——在所述初期绝缘膜的至少一部分中导入至少一种金属；以及步骤(c)——进行用于使金属在所述初期绝缘膜内扩散的热处理，在所述半导体衬底的至少一部分上形成比所述初期绝缘膜的介电常数大的至少一个高电介质膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||