| 发明名称 | 连有偶氮吲哚发色团侧基的二阶非线性光学聚硅氧烷及其制法和用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及连有偶氮吲哚发色团的二阶非线性光学聚硅氧烷，具有右通式，式中x＝0.05～0.60，n＝30－100，R选自各种烃基、芳香基团及其它杂环化合物功能基团。将侧链连有吲哚基团的聚硅氧烷高分子与对硝基苯基重氮氟硼酸盐反应得该类高分子化合物。该类高分子具有较高的二阶非线性光学性能和良好的综合性能，可以在远程通讯、数据存储、相位共轭等方面得到实际应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1456585A | 申请公布日期 | 2003.11.19 |
| 申请号 | CN03128049.8 | 申请日期 | 2003.05.28 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 李振;秦金贵 |
| 分类号 | C08G77/54;G02B1/04 | 主分类号 | C08G77/54 |
| 代理机构 | 武汉天力专利事务所 | 代理人 | 程祥;冯卫平 |
| 主权项 | 1.一种连有偶氮吲哚发色团侧基的二阶非线性光学聚硅氧烷，其结构通式为：<img file="A0312804900021.GIF" wi="920" he="641" />式中x＝0.05～0.60，n＝30-100，R选自各种烃基、芳香基团或其它杂环化合物功能基团。 | ||
| 地址 | 430072湖北省武汉市武昌珞珈山 | ||