发明名称 解码器的布局结构与制造方法
摘要 一种解码器的布局结构与制造方法,解码器包括m×n个节点,这些节点包括多个晶体管节点与多个通道节点。解码器的晶体管节点的制造方法为传统上形成晶体管的方法,即依次形成栅极、第一漏极/源极与第二漏极/源极。通道节点的制造方法为只形成一通道,且此通道与晶体管节点的第一漏极/源极与第二漏极/源极为同时形成,材料亦相同。本发明可在不额外增加掩模数量的情况下,使电路宽度缩短,实现此解码器电路的布局。
申请公布号 CN1456928A 申请公布日期 2003.11.19
申请号 CN02117591.8 申请日期 2002.05.09
申请人 奇景光电股份有限公司 发明人 萧全成;卜令楷;洪坤成;陈建宾
分类号 G02F1/136 主分类号 G02F1/136
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 李晓舒;魏晓刚
主权项 1.一种解码器的结构,该解码器包括m×n个节点,该些节点包括多个晶体管节点与多个通道节点,该些晶体管节点之一为晶体管节点N(i1,j1),而该些通道节点之一为通道节点N(i2,j2),该晶体管节点N(i1,j1)对应至一晶体管区A(i1,j1),而该通道节点N(i2,j2)则对应至一通道区A(i2,j2),其中,1≤i1,i2≤m,1≤j1,j2≤n,i1≠i2,j1≠j2,该解码器的结构至少包括:一衬底;一第一漏极/源极与一第二漏极/源极,位于该衬底中的该晶体管区A(i1,j1)上;一通道,位于该衬底中的该通道区A(i2,j2)上;一第一绝缘层,位于该衬底之上,并覆盖该第一漏极/源极、该第二漏极/源极与该通道;一栅极,位于该第一绝缘层之上,且位于该第一漏极/源极与该第二漏极/源极中间;一第二绝缘层,覆盖该栅极;以及一金属层,位于该栅极上方,并与该栅极电连接;其中,当该晶体管节点N(i1,j1)与该通道节点N(i2,j2)为同一列且相互邻接时,该晶体管区A(i1,j1)中的该第一漏极/源极或该第二漏极/源极与该通道区A(i2,j2)中的该通道相连;当该晶体管节点N(i1,j1)与位于同一列的一晶体管节点N(i3,j3)相邻时,该晶体管节点N(i1,j1)的该第一漏极/源极或该第二漏极/源极与该晶体管节点N(i3,j3)的该第一漏极/源极或该第二漏极/源极相连接;当该通道节点N(i2,j2)与位于同一列的一通道节点N(i4,j4)相邻时,该通道节点N(i2,j2)的该通道与通道节点N(i4,j4)的该通道相连接;以及该金属层使同一行的该些晶体管开关节点的栅极电连接,以形成多条解码输入线以接收一数字数据信号。
地址 台湾省台南科学工业园区