| 发明名称 | 多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除 | ||
| 摘要 | 本发明提供各种制造导体结构(10)的方法。一方面，本发明提供于第一工件(12)上制造导体结构(10)的方法。于第一工件(12)上形成硅膜(20)。于该硅膜(20)上形成抗反射涂层(22)。于该抗反射涂层(22)的第一部份上形成掩膜(24)，同时留下其未掩膜的第二部份。对该抗反射涂层(22)的第二部份及该硅膜(20)进行蚀刻。移除该掩膜(24)，然后利用各向同性等离子体蚀刻法将该抗反射涂层(22)移除。若利用各向同性蚀刻法来移除抗反射涂层，则可消除与加热的酸浴移除抗反射涂层有关的热震。 | ||
| 申请公布号 | CN1457503A | 申请公布日期 | 2003.11.19 |
| 申请号 | CN01815622.3 | 申请日期 | 2001.07.26 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | D·J·邦瑟;M·珀迪;J·H·小于塞 |
| 分类号 | H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种于第一工件(12)上制造导体结构(10)的方法，该方法包括：于该第一工件(12)上形成硅膜(20)；于该硅膜(20)上形成抗反射涂层(22)；于该抗反射涂层(22)的第一部份上形成掩膜(24)，同时留下未掩膜的第二部份；对该抗反射涂层(22)的该第二部份及该硅膜(20)进行蚀刻；移除该掩膜(24)；以及利用各向同性等离子体蚀刻移除该抗反射涂层(22)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||