| 发明名称 | 金属氧化物半导体热敏电阻的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种金属氧化物半导体热敏电阻的制造方法。它是以镁、铝、锰、镍的乙酸盐或硝酸盐作为原料，先采用溶胶－凝胶方法制备纳米金属氧化物溶胶，然后将溶胶干燥脱水、粉碎、分解、预烧成纳米级金属氧化物粉体，再进行成型、等静压及高温烧结，其后进行切片、涂烧电极、划片成热敏电阻芯片，最后封装。该方法具有工艺重复性好，所得的热敏电阻具有一致性好，成品率高，长期稳定性好，使用温区宽等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN1457061A | 申请公布日期 | 2003.11.19 |
| 申请号 | CN03129082.5 | 申请日期 | 2003.06.05 |
| 申请人 | 宁波科联电子有限公司 | 发明人 | 史进东;丁利;吴关炎;李冬 |
| 分类号 | H01C7/00;H01C17/00 | 主分类号 | H01C7/00 |
| 代理机构 | 宁波诚源专利事务所有限公司 | 代理人 | 张刚 |
| 主权项 | 1、一种金属氧化物半导体热敏电阻的制造方法，其特征在于：它是以以镁、铝、锰、镍的乙酸盐或硝酸盐作为原料，先采用溶胶-凝胶方法制备纳米金属氧化物溶胶，然后将溶胶干燥脱水、粉碎、分解、预烧成纳米级金属氧化物粉体，再进行成型、等静压及高温烧结，其后进行切片、涂烧电极、划片成热敏电阻芯片，最后封装；上述原材料各组分配比为(摩尔百分比)： 镁 5～10 铝 3～5 锰 50～60 镍 30～40 | ||
| 地址 | 315040浙江省宁波市科技园区沧海路181号火炬大厦4楼南座 | ||