| 发明名称 | 集成电路基板通孔的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种集成电路基板通孔的制造方法，其步骤包括：提供一电路基板，形成若干通孔结构；舍弃现有填充材塞孔方式，而改为选择以金属喷射方式、金属气相沉积方式、金属蒸镀及其组合的其中一种方式对各该通孔结构进行塞孔，而形成通孔，进行平坦化；覆上一金属层，定义出若干电路层；在所述电路基板的至少一表面外覆上一介电层，于所述介电层对应于通孔的位置上定义出导通孔位置处；选择以金属喷射方式、金属气相沉积方式、金属蒸镀及其组合的其中一种方式在所述介电层的表面覆上一金属层，并填住介电层上的各该导通孔位置处，以形成完整的导通孔。最后对电路基板最外围的金属层进行平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN1457089A | 申请公布日期 | 2003.11.19 |
| 申请号 | CN02119134.4 | 申请日期 | 2002.05.09 |
| 申请人 | 威盛电子股份有限公司 | 发明人 | 宫振越;何昆耀 |
| 分类号 | H01L21/48;H01L21/60;H05K3/00 | 主分类号 | H01L21/48 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;陈红 |
| 主权项 | 1.一种集成电路基板通孔的制造方法，其步骤包括：(a)提供一电路基板，形成若干通孔结构；(b)选择以金属喷射方式(metal spray)、金属气相沉积方式(metalvapor deposition)及其组合的其中一种方式对各该通孔结构进行塞孔，而形成通孔(through hole)；(c)在所述电路基板的至少一表面外覆上一介电层；(d)于所述介电层对应于通孔的位置及线路的位置上定义出导通孔(via)位置处；(e)选择以金属喷射方式、金属气相沉积方式及其组合的其中一种方式在所述介电层的表面覆上一金属层，并填住介电层上的各该导通孔位置处，以形成完整的导通孔。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县 | ||