发明名称 热载流子劣化估计方法
摘要 本发明提供一种切合其实际工作地估计由热载流子的影响造成的LSI的可靠性劣化的热载流子劣化估计方法。在延迟计算步骤中,根据电路信息和延迟库计算作为对象的LSI的各单元的延迟、输入波形斜率、及输出负载电容。在延迟劣化库生成步骤中,根据由热载流子的影响造成的单元的延迟变化的延迟劣化参数及延迟库并利用各单元的估计工作次数、输入波形斜率及输出负载电容,生成延迟参数的延迟劣化库。上述步骤反复进行规定反复次数。
申请公布号 CN1128419C 申请公布日期 2003.11.19
申请号 CN97125368.4 申请日期 1997.12.10
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 岩西信房;川上善之
分类号 G06F17/00 主分类号 G06F17/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 吴丽丽
主权项 1.一种热载流子劣化估计方法,用于定时验证在单元级设计的LSI时,估计由热载流子的影响造成的LSI的可靠性劣化,其特征在于包括以下步骤:根据包含有关作为对象的LSI的各单元的特性信息、单元及单元之间布线的连接信息、以及单元之间布线的电阻值及电容值等的特性信息的电路信息、以及存储了计算单元的延迟用的延迟参数的延迟库,对上述LSI各单元计算延迟、输入端的信号波形斜率、及连接输出端的负载电容的延迟计算步骤;根据由伴随单元工作次数的延迟参数的变化表示由热载流子的影响造成的单元的延迟变化的延迟劣化参数、及上述延迟库,并利用上述LSI工作了规定期间后的各单元的估计工作次数、以及在上述延迟计算步骤中计算的各单元的输入波形斜率及输出负载电容,求出上述LSI工作了上述规定期间后的各单元的延迟参数,生成存储了该延迟参数的延迟劣化库的延迟劣化库生成步骤;反复进行规定次数的上述延迟计算步骤及延迟劣化库生成步骤,在反复进行的第二次以后,利用在前一次进行的延迟劣化库生成步骤中生成的延迟劣化库代替延迟库,进行上述延迟计算步骤及延迟劣化库生成步骤,根据在最后进行的延迟计算步骤中计算的各单元的延迟,估计上述LSI的由热载流子的影响造成的可靠性的劣化。
地址 日本大阪