High density metal capacitor using via etch stopping layer as field dielectric in dual-damascence interconnect process,申请号EP20020250004-传众专利搜索

发明名称	High density metal capacitor using via etch stopping layer as field dielectric in dual-damascence interconnect process
摘要
申请公布号	EP1221715(A3)	申请公布日期	2003.11.19
申请号	EP20020250004	申请日期	2002.01.02
申请人	BROADCOM CORPORATION	发明人	TSAU, LIMING
分类号	H01L21/02;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/02	主分类号	H01L21/02
代理机构		代理人
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