全氟化碳的生产方法及其用途

摘要

本发明生产全氟化碳方法的特征在于，在通过有机化合物与氟气接触生产全氟化碳的过程中，有机化合物与氟气在200－500℃温度范围内接触，同时反应体系内的氧气含量被控制在基于反应原料中气体成分的2％(体积)或更低，因而生产出降低了杂质含量的全氟化碳。根据本发明生产全氟化碳的方法，可以得到极度抑制了例如含氧化合物等杂质产生的高纯度全氟化碳。通过本发明方法获得的全氟化碳基本不含有含氧化合物，因此可以在半导体装置生产方法中有效地用作蚀刻或清洁气体。

主权项

1.一种生产全氟化碳的方法，包括，在以有机化合物和氟气为反应起始原料的生产全氟化碳的过程中，使所述有机化合物与所述氟气在200-500℃接触，同时将反应体系内的氧气含量控制在基于原料气体成分的2％(体积)或更低的范围内，生产降低了杂质含量的全氟化碳。