利用原子层淀积工艺形成导电层的方法

摘要

一种采用原子层淀积工艺形成导电层的方法，通过将含有金属的母物与一种还原气体起反应，在半导体衬底上形成一层牺牲金属原子层，通过使该牺牲金属原子层与金属卤化物气体反应，在该半导体衬底上、在淀积由金属卤化物气体溶解的金属原子的位置形成一种金属原子层。另外，采用一种硅源气体，在该金属原子层上形成硅原子层，从而交替地层叠金属原子层和硅原子层。

主权项

1.一种用于形成金属层的方法，它包括下列步骤：(a)在半导体衬底的整个表面上形成一层牺牲金属原子层；(b)通过使该牺牲金属原子层与金属卤化物气体反应从而除去该牺牲金属原子层，同时形成一种金属原子层，其中由该牺牲金属原子层中的金属原子和该金属卤化物气体中的卤素原子组成的化合物的吉布斯自由能高于该金属卤化物的吉布斯自由能，其中在形成该牺牲金属原子层和该金属原子层的同时，将该半导体衬底加热到300-500℃；以及(c)通过交替地形成牺牲原子层和金属原子层至少一次以在该半导体衬底上层叠多层金属原子层。