动态记忆胞元

摘要

动态记忆胞元,一种导电的表面吊带式(Surace－Strap)接点(20)为具有沟道式电容器(1)及平面型选择晶体管(2)的DRAM记忆胞元(101)形成平面型选择晶体管(2)之扩散区(3)与沟道式电容器(1)之间的导电连接，接点(20)系位于基材表面的正上方并至少将扩散区(3)的一部分覆盖住。沟道式电容器(1)的记忆节点(15)至少被一个氧化物环套(21)封闭住，这个氧化物环套(21)可以将记忆节点(15)与基材侧的扩散区(3，4)绝缘。氧化物环套(21)上有一个氧化物盖(230。位于氧化物盖(23)内的一个以导电材料填满的开口(24)与表面吊带式(Surace－Strap)接点连接，开口(24)的范围系从氧化物盖(23)的表面一直垂直延伸至记忆节点(15)。一种有利的配置具有一个由数个面积为均为8F²的MINT记忆胞元形成的记忆胞元场，在此记忆胞元场内所形成的主动区是由横梁上多个连成长条状的记忆胞元(101)所形成。

主权项

1.一种包括以下构件的积体动态记忆胞元(101)，--一个基材，--一个具有记忆胞元(15)的沟道式电容器，--一个具有以下构件的平面型选择晶体管，a)一个与第一条字线(7)连接的闸极(2)，b)一个位于基材内的第一个掺杂区(4)，一条位线(5)与掺杂区(4)连接，c)一个位于基材内的第二个掺杂区(3)，第二个掺杂区(3)经由接点(20)与位于沟道电容器(1)内的记忆节点(15)形成导电连接，这种积体动态记忆胞元的特征为：--接点(20)至少有一部分是位于基材表面上方，因此接点(20)至少将第二个掺杂区(3)的一部分覆盖住，--记忆节点(15)至少被第一个氧化物环套(21)环绕住，这个氧化物环套(21)将记忆节点(15)与位于埋入基材的掺杂区(71)上方的基材绝缘，--在基材表面上的沟道式电容器(1)具有第一个开口，这个开口的第一个部分(51)被接点(20)覆盖住，第二个部分(52)则被第二条字线(8)覆盖住，--将氧化物盖(23)设置在第一个开口内，--在氧化物盖(23)内形成第二个开口(24)，将第二个开口(24)以导电材料填满，这些导电材料与接点(20)形成导电连接，--氧化物盖(230及第二个开口(24)的导电材料系设置在记忆节点(15)的导电填料(31，32，33)面向基材表面的一个表面上，并将沟道电容器(1)的第一个开口全部封住。