发明名称 SHORT CHANNEL TRENCH POWER MOSFET WITH LOW THRESHOLD VOLTAGE
摘要 <p>A short channel trench MOSFET which has a lower peak concentration of dopants and a substantially uniform concentration of dopants compared to a conventional short channel device.</p>
申请公布号 WO2003094204(P1) 申请公布日期 2003.11.13
申请号 US2003013856 申请日期 2003.05.02
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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