Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Es ist eine Aufgabe, eine SOI-Vorrichtung vorzusehen, die in der Lage ist, eine Substratfestlegung durchzuführen und einen schnellen und zuverlässigen Betrieb zu verwirklichen. Eine Gateisolationsschicht (11) mit einer Dicke von 1 bis 5 nm ist zwischen einem anderen Abschnitt einer Gateelektrode (12) als einer Gatekontakt-Anschlußfläche (GP) und einer SOI-Lage (3) vorgesehen. Eine Gateisolationsschicht (110) mit einer Dicke von 5 bis 15 nm ist zwischen der Gatekontakt-Anschlußfläche (GP) und der SOI-Lage (3) vorgesehen. Die Gateisolationsschicht (11) und die Gateisolationsschicht (110) sind ineinander übergehend vorgesehen.