光电元件及组件

摘要

一种光电元件，带有至少一个具有某种基本掺杂的三晶体晶片(2)、光接收面(3)、与光接收面相对的电结合面(4)、以及设置在电结合位置(4)上的至少一个交叉指形半导体结构(5)，具有至少一个n型半导体部分结构(6)和与n型半导体部分结构(6)具有预定间隔(8)排列的至少一个p型半导体部分结构(7)。半导体部分结构之一和硅晶片(2)由此形成一个p－n结(9)。

主权项

1.一种光电元件的制造方法，方法包括为具有光接收面和与光接收面相对的电结合面的硅晶片提供预定的基本掺杂，特征在于方法还包括以下步骤：(a)在硅晶片的电结合面上制成掺杂层，其中掺杂层的掺杂与硅晶片的预定掺杂不同，以在硅晶片中得到p-n结；(b)以对应于交叉指形半导体部分结构的形式，在掺杂层上施加用于产生n型半导体部分结构的n型掺杂剂和产生p型半导体部分结构的p型掺杂剂，使掺杂剂扩散到掺杂层内，由此形成半导体部分结构；以及(c)通过除去半导体部分结构之间间隔中的掺杂层，隔开半导体部分结构。