半导体开关电路装置及其制造方法

摘要

一种半导体开关电路装置及其制造方法。在以往的化合物半导体开关电路装置中，高频信号会通过模制树脂而泄漏，从而引起隔离恶化。本发明的半导体开关电路装置在FET的周围设置台柱，在FET上设置由台柱支承的屏蔽金属。由于FET和屏蔽金属的间隔距离小，故当进行通常的树脂模制时，树脂不会进入该空间，FET之上形成中空。也就是说，FET和树脂由屏蔽金属屏蔽，FET的IN－OUT之间由介电常数高的空气屏蔽，所以可防止高频信号的泄漏。

主权项

1、一种半导体开关电路装置，包括：至少一个FET，在半导体衬底表面上设置有源电极、栅电极及漏电极；电极焊盘，与下述端子分别对应，所述端子是，至少一个连接在上述FET的源电极或漏电极上的输入端子，至少一个连接在上述FET的漏电极或源电极上的输出端子，及将DC电位施加在上述FET上的端子；其特征在于，还包括：台柱，其设在上述FET的周围；金属层，由上述台柱支承并至少实质性覆盖在上述FET之上；以及树脂层，覆盖集成了上述FET的芯片。