| 发明名称 |
METHOD FOR WRITING INTO MAGNETORESISTIVE MEMORY CELLS AND MAGNETORESISTIVE MEMORY WHICH CAN BE WRITTEN INTO ACCORDING TO SAID METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1360692(A2) |
申请公布日期 |
2003.11.12 |
| 申请号 |
EP20020701239 |
申请日期 |
2002.01.24 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
FREITAG, MARTIN;MIETHANER, STEFAN;RABERG, WOLFGANG |
| 分类号 |
G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/16 |
主分类号 |
G11C11/15 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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