背棚MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器

摘要

本发明提供了一种自对准的背栅MOS晶体管结构，包括栅电极、侧墙介质层、栅介质层、源漏重掺杂区和源漏轻掺杂区构成的源漏区、沟道区，其源漏区和沟道区掺杂与栅电极相互自对准；源漏区的重掺杂区与沟道区之间存在与栅电极自对准的且对称的轻掺杂区；源漏区厚而沟道区薄。其制作方法，是在背栅电极和背栅介质层形成后，淀积一较厚的Si膜，然后进行无掩膜较低能量的离子注入掺杂，接着用化学机械抛光进行表面平坦化。本发明背栅MOS晶体管结构，其自对准结构使得器件特性的离散最小化；其厚源漏区以及对应的轻掺杂区导致寄生电阻和关态电流减小；其薄沟道区能提供大的导通电流和改善短沟道效应。本发明的背栅MOS晶体管，可以用作静态随机存储器中的pMOS负载管。

主权项

1.背栅MOS晶体管，包括栅电极，侧墙介质层，栅介质层，源漏重掺杂区和源漏轻掺杂区构成的源漏区，沟道区，其特征在于，所述源漏区和沟道区掺杂与所述栅电极相互自对准；所述源漏区的重掺杂区与沟道区之间存在与所述栅电极自对准的且对称的轻掺杂区；所述源漏区厚而沟道区薄。