| 主权项 |
1.一种半导体装置,其系具备有:绝缘性支持基板;于表面具有复数个电极焊垫之半导体晶片;设于前述基板且分别与前述复数个电极焊垫相对应之导电图案;连接前述复数个电极焊垫及前述导电图案之连接机构;以及分别与前述导电图案相对应之外部连接电极;其特征为:利用绝缘性树脂将前述半导体晶片固定于至少一个前述导电图案上,前述至少一个导电图案将前述外部连接电极部分作为起端,通过前述晶片下方而从该晶片的端部露出并延伸至尾端,而将前述连接机构固定于该露出部。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述半导体晶片系由背面为半绝缘性之化合物半导体基板所构成。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,利用在前述连接机构将前述导电图案之前述露出部与前述电极焊垫中之一个相连接,而将至少2个前述电极焊垫之排列顺序以及与该电极焊垫对应之前述外部连接电极之排列顺序形成正反配置。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,将前述至少1个导电图案延伸且绕过相邻接的其他导电图案,而配置于其两侧,藉由切换与该至少2个导电图案相连接之连接机构的位置,可将前述至少2个外部连接电极配置成正反之排列顺序。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述半导体晶片系将2个开关电路装置设置于1个晶片上之双联开关电路装置。6.一种半导体装置,其系具备有:绝缘基板;于表面具有与2个输出端子、2个控制端子、4个输入端子相对应之复数个电极焊垫之化合物半导体晶片;设置于前述基板上且分别与前述电极焊垫相对应之导电图案;连接前述电极焊垫及前述导电图案之连接机构;以及分别与前述导电图案相对应,且作为前述各端子之外部连接电极;其特征为:利用绝缘性树脂将前述化合物半导体晶片固定于一个前述导电图案上,前述一个导电图案系将前述外部连接电极部分作为起端,通过前述晶片下方而从该晶片的端部露出并延伸至尾端,而将前述连接机构固定于该露出部。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,具备有:设置与前述导电图案相对应且贯穿前述绝缘基板之通孔,且与该通孔相对应而设置于前述绝缘基板之背面的外部连接电极。8.一种半导体装置,其系具备有:绝缘树脂;埋入于该绝缘树脂,且于表面具有与2个输出端子、2个控制端子、4个输入端子相对应之复数个电极焊垫之化合物半导体晶片;埋入于前述绝缘树脂,且分别与前述电极焊垫相对应之导电图案;连接前述复数个电极焊垫及前述导电图案之连接机构;以及,分别与前述导电图案相对应,且作为前述各端子之外部连接电极;其特征为:利用绝缘性树脂将前述化合物半导体晶片固定于一个前述导电图案上,前述一个导电图案系将外部连接电极部分作为起端,通过前述晶片下方而从该晶片的端部露出并延伸至尾端,而将前述连接机构固定于该露出部。9.如申请专利范围第6项或第8项之半导体装置,其中,利用前述连接机构将前述导电图案之前述露出部与前述电极焊垫之一个相连接,而将2个前述电极焊垫之排列顺序以及与该电极焊垫相对应之前述端子之排列顺序形成正反配置。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中,前述端子为输入端子。11.如申请专利范围第6项或第8项之半导体装置,其中,将前述1个导电图案延伸且配置于相邻接之其他导电图案之两侧,藉由切换与该2个导电图案相连接之连接机构的位置,可将前述端子中之2个端子配置成正反之排列顺序。12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中,前述2个导电图案与输入端子相对应。13.如申请专利范围第6项或第8项之半导体装置,其中,前述化合物半导体晶片之背面为半绝缘性基板。14.如申请专利范围第6项或第8项之半导体装置,其中,前述化合物半导体晶片系将2个开关电路装置设置于1个晶片上之双联开关电路装置。图式简单说明:第1(A)、(B)图系说明本发明之俯视图。第2图系说明本发明之斜视图。第3图系说明本发明之俯视图。第4图系说明本发明之(A)俯视图及(B)方块图。第5图系说明本发明之(A)剖视图及(B)俯视图。第6(A)、(B)图系说明本发明之剖视图。第7(A)、(B)图系说明本发明之俯视图。第8图系说明本发明之俯视图。第9图系说明习知技术之电路图。第10图系说明习知技术之俯视图第11图系说明习知技术之(A)俯视图及(B)剖视图。第12(A)、(B)图系说明习知技术之俯视图。第13图系说明习知技术之方块图。 |
