| 主权项 |
1.一种类似覆晶型的发光二极体元件封装,其包括:一透明基板,该透明基板具有包含一凹部之一第一表面及具有不吸收发光二极体所发出光线之特性;一发光二极体,系置放于该透明基板之该凹部内,以使该发光二极体以仿一覆晶型晶粒发光方向地朝向该透明基板发光,该发光二极体包含具一第一导电性之一第一半导体层及具电性相反于该第一导电性之一第二导电性之一第二半导体层,该第二半导体层邻接该第一半导体层;一第一发光二极体焊接接垫,系形成于该发光二极体之一表面上,及电性耦合于该第一半导体层;一第二发光二极体焊接接垫,系形成于该发光二极体之与该第一发光二极体焊接接垫相同之该表面上,及电性耦合于该第二半导体层;一第一基板电极,系形成于该透明基板之该第一表面上;一第二基板电极,系形成于该透明基板之该第一表面上;一第一焊线,系电性连接于该第一发光二极体焊接接垫与该第一基板电极之间;一第二焊线,系电性连接于该第二发光二极体焊接接垫与该第二基板电极之间;及一封胶,系用以封盖该发光二极体、该第一发光二极体焊接接垫、该第二发光二极体焊接接垫、该第一焊线及该第二焊线。2.如申请专利范围第1项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中更包含一固晶材料,系用以将该发光二极体固着于该透明基板之该凹部内。3.如申请专利范围第1项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板之该凹部包含一阶梯状侧壁,且部份该第一电极及部份该第二电极系分别形成于该阶梯状侧壁上。4.如申请专利范围第2项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板之该凹部包含一阶梯状侧壁,且部份该第一电极及部份该第二电极系分别形成于该阶梯状侧壁上。5.如申请专利范围第1项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板包含一第二表面,该第二表面包含一粗糙面积系位于该发光二极体下方。6.如申请专利范围第2项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板包含一第二表面,该第二表面包含一粗糙面积系位于该发光二极体下方。7.如申请专利范围第5项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板之该第二表面之该粗糙面积系由一同心圆轮廓形成。8.如申请专利范围第6项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板之该第二表面之该粗糙面积系由一同心圆轮廓形成。9.如申请专利范围第5项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板之该第二表面之该粗糙面积系由复数个球型凸面形成。10.如申请专利范围第6项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板之该第二表面之该粗糙面积系由复数个球型凸面形成。11.如申请专利范围第5项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板之该第二表面之该粗糙表面系由复数个多面体形成。12.如申请专利范围第6项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板之该第二表面之该粗糙表面系由复数个多面体形成。13.如申请专利范围第11项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之多面体为一三角锥体。14.如申请专利范围第12项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之多面体为一三角锥体。15.如申请专利范围第1项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板系选自下列材质:玻璃、石英、环氧树脂、丙烯丁二烯苯乙烯共聚合物(acrylonitrile butadiene styrene copolymer)树脂(ABSresin)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、蓝宝石(sapphire)、聚物(polysulfones)、聚醚物(polyethersulfones)、聚醚醯亚胺(polyetherimides)、聚醯亚胺(polyimides)、聚醯胺醯亚胺(polyamide-imide)、聚二甲苯硫化物(polyphenylene sulfide)及碳矽热固型化合物(silicon-carbon thermosets)。16.如申请专利范围第2项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板系选自下列材质:玻璃、石英、环氧树脂、丙烯丁二烯苯乙烯共聚合物(acrylonitrile butadiene styrene copolymer)树脂(ABS resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、蓝宝石(sapphire)、聚物(polysulfones)、聚醚物(polyethersulfones)、聚醚醯亚胺(polyetherimides)、聚醯亚胺(polyimides)、聚醯胺醯亚胺(polyamide-imide)、聚二甲苯硫化物(polyphenylene sulfide)及碳矽热固型化合物(silicon-carbon thermosets)。17.如申请专利范围第2项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之固晶材料更包含萤光粉。18.如申请专利范围第17项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板之该凹部包含一阶梯状侧壁,且部份该第一电极及部份该第二电极系分别形成于该阶梯状侧壁上。19.如申请专利范围第17项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板系选自下列材质:玻璃、石英、环氧树脂、丙烯丁二烯苯乙烯共聚合物(acrylonitrilebutadiene styrene copolymer)树脂(ABS resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、蓝宝石(sapphire)、聚物(polysulfones)、聚醚物(polyethersulfones)、聚醚醯亚胺(polyetherimides)、聚醯亚胺(polyimides)、聚醯胺醯亚胺(polyamide-imide)、聚二甲苯硫化物(polyphenylene sulfide)及碳矽热固型化合物(silicon-carbonthermosets)。20.如申请专利范围第18项所述之类似覆晶型的发光二极体元件封装,其中上述之透明基板系选自下列材质:玻璃、石英、环氧树脂、丙烯丁二烯苯乙烯共聚合物(acrylonitrile butadienestyrene copolymer)树脂(ABS resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、蓝宝石(sapphire)、聚物(polysulfones)、聚醚物(polyethersulfones)、聚醚醯亚胺(polyetherimides)、聚醯亚胺(polyimides)、聚醯胺醯亚胺(polyamide-imide)、聚二甲苯硫化物(polyphenylenesulfide)及碳矽热固型化合物(silicon-carbon thermosets)。图式简单说明:第一A图系一传统蓝光发光二极体元件封装的截面示意图;第一B图系第一A图之传统蓝光发光二极体的顶视图;第二图系本发明的第一较佳具体实施例的截面示意图;第三图系本发明的一第二较佳具体实施例的截面示意图;第四A图系本发明的一第三较佳具体实施例的截面示意图;第四B图系本发明的第三较佳具体实施例的顶视图;第五A图系本发明的一第四较佳具体实施例的截面示意图;第五B图系本发明的第四较佳具体实施例的顶视图;第六A图系本发明的一第五较佳具体实施例的截面示意图;及第六B图系本发明的第五较佳具体实施例的顶视图。 |
