光阻材料及形成图型之方法

摘要

〔课题〕提供光阻材料，其特征为含有令基板上涂布之光阻材料表面与水或硷性显像液界面之接触面，随着添加量增加而降低的氟系界面活性剂。〔解决手段〕本发明之光阻材料为膜厚均匀性良好，且无涂布缺陷、与硷性显像液之涂覆性优，更且不会增加溶液中的颗粒，保存安定性良好，且对高能量射线感应，并且感度、解像性、再现性均优。因此，本发明之光阻材料因为此些特性，故特别适合作为特别KrF、ArF激元激光之曝光波长下的超LSI制造用之形成微细图型之材料。〔选择图〕无

主权项

1.一种光阻材料,其特征为含有令基板上涂布之光阻材料表面与水或硷性显像液界面之接触角,随着添加量增加而降低的一般式(1)所示氟系界面活性剂;Rf-[(CH2)aO]m-CH2CHR1CH2O-(CH2CHR2O)n-CH2CHR1CH2-[O(CH2) a ]m -Rf' ‥‥‥(1)(式中,R1为氢原子、羟基、碳数1-6个之直链状、分支状或环状烷氧基、或烷基之碳数1-6个之烷羰氧基、R2为氢原子或碳数1-6个之直链状、分支状或环状烷基、a为0-6.m为0或1.n为1-40之正整数;Rf及Rf′彼此为相同或相异之碳数1-12个之直链状、分支状或环状氟烷基,此氟烷基为结合至其碳原子之基可全部为氟原子,或一部分为氟原子且剩余为氢原子亦可。)2.如申请专利范围第1项之光阻材料,其中光阻材料为以波长500nm以下之高能量射线、X射线或电子射线予以曝光之化学增幅型。3.一种形成图型之方法,其特征为含有(i)将如申请专利范围第2项记载之光阻材料于基板上涂布之步骤,(ii)其次于加热处理后,透过光遮蔽物,以波长500nm以下之高能量射线、X射线或电子射线予以曝光之步骤,及(iii)视需要于加热处理后,使用显像液进行显像之步骤。图式简单说明:[图1]示出实施例及比较例之氟系界面活性剂之添加量与接触角之关系图。