发明名称 光罩之制造方法
摘要 本发明的课题为提供光罩之制造方法,可以提供没有污染物附着的高品质光阻图案光罩。而解决课题的方法为针对在基板(1)上直接涂敷光阻(3),且将其图案化后制作光阻图案的光罩之方法,其特征为:在基板上涂敷光阻(2)、进行曝光描绘(4)、显像处理(6),形成光阻图案(7)后,在检查步骤(10、12)之前,进行软片(8)安装。
申请公布号 TW561311 申请公布日期 2003.11.11
申请号 TW092101605 申请日期 2003.01.24
申请人 大印刷股份有限公司;日立制作所股份有限公司 发明人 古泉裕弘;佐佐木志保;藤井明子;法元盛久;长谷川昇雄;早野胜也
分类号 G03F1/00 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室;宿希成 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种光罩之制造方法,其系在基板上直接涂敷光阻,且将其图案化后制作光阻图案的光罩之方法,其特征为:在基板上涂敷光阻、进行曝光描绘、显像处理,形成光阻图案后,在检查步骤之前,进行软片安装。2.一种光罩之制造方法,其系在基板上直接涂敷光阻,且将其图案化后制作光阻图案的光罩之方法,其特征为:在基板上涂敷光阻、进行曝光描绘、显像处理,形成光阻图案后,在检查步骤前先安装临时软片,其后经过检查步骤,于检查合格的光罩中,将临时软片改贴为正式软片。3.一种光罩之制造方法,其系在基板上直接涂敷光阻,且将其图案化后制作光阻图案的光罩之方法,其特征为:从涂敷光阻、曝光描绘、显像处理、检查、安装软片、到最终检查为止的一连串步骤,均在设置于闭锁系内的处理系统中进行。4.如申请专利范围第1项之光罩之制造方法,其中从涂敷光阻到检查为止的一连串步骤,均在闭锁系的一连贯处理系统内进行。5.如申请专利范围第2项之光罩之制造方法,其中从涂敷光阻到检查为止的一连串步骤,均在闭锁系的一连贯处理系统内进行。6.一种光罩之制造方法,其系在基板上直接涂敷光阻,且将其图案化后制作光阻图案的光罩之方法,其特征为:在基板上涂敷光阻后,使用已去除附着在基板侧面、反面上的光阻之基板,进行曝光描绘、显像处理以形成光阻图案。7.如申请专利范围第1项之光罩之制造方法,其系在基板上直接涂敷光阻,且将其图案化后制作光阻图案的光罩之方法,其中基板上涂敷光阻后,先去除附着在基板侧面、反面上的光阻后,进行曝光描绘、显像处理以形成光阻图案。8.如申请专利范围第2项之光罩之制造方法,其系在基板上直接涂敷光阻,且将其图案化后制作光阻图案的光罩之方法,其中在基板上涂敷光阻后,先把附着在基板侧面、反面上的光阻去除后,进行曝光描绘、显像处理以形成光阻图案。9.如申请专利范围第3项之光罩之制造方法,其系在基板上直接涂敷光阻,且将其图案化后制作光阻图案的光罩之方法,其中在基板上涂敷光阻后,先去除附着在基板侧面、反面上的光阻后,进行曝光描绘、显像处理以形成光阻图案。10.如申请专利范围第1项之光罩之制造方法,其中于光阻以外的光遮光膜上施以图案化的基板上涂敷光阻,利用光阻图案来形成光罩的一部分图案。11.如申请专利范围第2项之光罩之制造方法,其中于光阻以外的光遮光膜上施以图案化的基板上涂敷光阻,利用光阻图案来形成光罩的一部分图案。12.如申请专利范围第3项之光罩之制造方法,其中于光阻以外的光遮光膜上施以图案化的基板上涂敷光阻,利用光阻图案来形成光罩的一部分图案。13.如申请专利范围第6项之光罩之制造方法,其中于光阻以外的光遮光膜上施以图案化的基板上涂敷光阻,利用光阻图案来形成光罩的一部分图案。14.如申请专利范围第2项之光罩之制造方法,其中在临时软片的接着剂使用光固化剂、或者热固化剂在检查完成后若是合格品,则施以光或者热直接加以固定。15.如申请专利范围第1项之光罩之制造方法,其中于光阻以外的光遮光膜上施以图案化的基板上涂敷光阻,利用光阻图案用来形成光罩的一部分图案,为了提升转印于晶圆上时的解析度,将光阻的膜厚度形成能使晶圆曝光波长上的相位反转180度的厚度,并且涂敷能让曝光光线的一部分透过的光遮光型光阻来形成图案。16.如申请专利范围第2项之光罩之制造方法,其中于光阻以外的光遮光膜上施以图案化的基板上涂敷光阻,利用光阻图案用来形成光罩的一部分图案,为了提升转印于晶圆上时的解析度,将光阻的膜厚度形成能使晶圆曝光波长上的相位反转180度的厚度,并且涂敷能让曝光光线的一部分透过的光遮光型光阻来形成图案。17.如申请专利范围第3项之光罩之制造方法,其中于光阻以外的光遮光膜上施以图案化的基板上涂敷光阻,利用光阻图案用来形成光罩的一部分图案,为了提升转印于晶圆上时的解析度,将光阻的膜厚度形成能使晶圆曝光波长上的相位反转180度的厚度,并且涂敷能让曝光光线的一部分透过的光遮光型光阻来形成图案。18.如申请专利范围第6项之光罩之制造方法,其中于光阻以外的光遮光膜上施以图案化的基板上涂敷光阻,利用光阻图案用来形成光罩的一部分图案,为了提升转印于晶圆上时的解析度,将光阻的膜厚度形成能使晶圆曝光波长上的相位反转180度的厚度,并且涂敷能让曝光光线的一部分透过的光遮光型光阻来形成图案。19.如申请专利范围第1项之光罩之制造方法,其中在光阻图案光罩中,去除临时软片或者软片的框体接触面上的光阻。20.如申请专利范围第1至19项中任一项之光罩之制造方法,其中上述光阻,系对晶圆曝光波长具有遮光性。图式简单说明:图1为第一发明的制造方法之一实施形态中,以模式表示的步骤图。图2为第二、第八发明的制造方法之一实施形态中,以模式表示的步骤图。图3为第三发明的制造方法之一实施形态中,以模式表示的步骤图。图4为第五、第六发明的制造方法之一实施形态中,以模式表示的步骤图。图5为第一发明的基本制造方法之一实施形态中,以模式表示的步骤图。图6为第七发明的制造方法之一实施形态中,以模式表示的光罩构造图。(a)剖面构造图、(b)正面图。图7为第九发明的制造方法之一实施形态中,以模式表示的光罩构造图。(a)剖面构造图、(b)正面图。图8为第十发明的制造方法之一实施形态中,以模式表示的光罩构造图。图9为第四发明的制造方法之一实施形态中,以模式表示的重要部分步骤图。
地址 日本