| 主权项 |
1.一种向异导电性薄片,其特征系具有向厚度方向延伸之复数导电部,和包围各个此等导电部地加以形成,于面方向显示半导电性之半导电部;半导电部之体积固有电阻系10-7 ~ 104m,半导电部之表面固有电阻系10-1 ~ 1010/者。2.一种向异导电性薄片,其特征系具有向厚度方向延伸之复数导电部,和包围此等导电部所形成之绝缘部,和包围此绝缘部所形成,于面方向显示半导电性之半导电部;半导电部之体积固有电阻系10-7~104m,半导电部之表面固有电阻系10-1~1010/者。3.一种向异导电性薄片,在于面方向地显示半导电性之薄片基体中,该导电性粒子之排列于厚度方向地被指向状态而含有为其特征者。4.如申请专利范围第1项或2,3项其中之一所述之向异导电性薄片,其中半导电部或薄片基体乃含有由导电性有机物质、胺系有机导电性物质、导电性高分子物质、金属粒子及炭黑等所选用之至少一种所成之导电性物质者。5.如申请专利范围第1项或2,3项其中之一所述之向异导电性薄片,其中半导电部或薄片基体系做为导电性物质而含有烷基磺酸钠盐者。6.一种向异导电性薄片之制造方法,主要乃用于制造申请专利范围第1项所述之向异导电性薄片之方法中,具有:对于被硬化而成为弹性高分子物质之高分子材料中,形成含有显示磁性之导电性粒子及被赋予半导电性物质之薄片成形材料层,对于此薄片成形材料层而将具有强度分布之平行磁场作用于该薄片成形材料层之厚度方向,同时使该薄片成形材料予以硬化处理之过程,而构成为其特征者。7.一种向异导电性薄片之制造方法,主要乃,用于制造申请专利范围第1项或第2项所述之向异导电性薄片之制造方法中,其特征为:具有:准备,形成具有贯穿孔或开口之显示半导电性之半导电部用薄片,在此半导电部用薄片之贯穿孔或开口内,形成经硬化后成为弹性高分子物质之,高分子形成材料中含有显示磁性之导电性粒子之导电部用材料层,对于此导电部用材料层而,将具有平行磁场或强度分布之平行磁场作用于该导电部用材料层之厚度方向,同时令该导电部用材料层予以硬化处理之过程者。8.一种向异导电性薄片之制造方法,主要乃用于制造申请专利范围第3项所述之向异导电性薄片之制造方法中,其特征为,具有:形成经硬化后成为弹性高分子物质之,高分子形成材料中含有显示磁性之导电性粒子及半导电性赋予物质之薄片成形材料层,对于此薄片成形材料层而将平行磁场作用于该薄片成形材料层之厚度方向同时使该薄片成形材料层予以硬化处理之过程者。9.一种向异导电性薄片,具有:在于厚度方向具有导电性之向异导电性之薄片体,及至少成一体地设于此薄片体之一面之除电层而构成为其特征者。10.一种向异导电性薄片,具有:该延伸于厚度方向之复数之导电部系以绝缘部而互相地绝缘之状态地被配置而成之向异导电性之薄片体,及设于此薄片体之绝缘部之至少一面之除电层而构成为其特征者。11.如申请专利范围第10项所述之向异导电性薄片,其中除电层系设于薄片体之绝缘部者。12.如申请专利范围第10项所述之向异导电性薄片,其中薄片体之绝缘部之至少一面上形成有凹处,而在此凹处内设置有除电层者。13.如申请专利范围第9项或10,11,12项其中之一项所述之向异导电性薄片,其中,除电层乃由:含有:导电性有机物质、胺系有机导电性物质、金属、炭黑而成之层,在于热硬化性树脂或热可塑性树脂中含有导电性物质而成之层,或导电性弹性体而构成者。14.如申请专利范围第9项或10,11,12项其中之一项所述之向异导电性薄片,其中除电层系由含有烷基磺酸钠盐所成之层所构成者。15.如申请专利范围第9项或10,11,12项其中之一项所述之向异导电性薄片,其中除电层系由金属层所成者。16.一种向异导电性薄片之制造方法,主要系用于制造申请专利范围第9项所述之向异导电性薄片之制造方法中,具备有:将含有导电性物质而成之流动性之除电层形成用组成物涂布于薄片体以形成涂膜,斯后对于该涂膜施予定着处理以资形成除电层之过程,为其特征者。17.一种向异导电性薄片之制造方法,主要系用于制造申请专利范围第9项所述之向异导电性薄片之制造方法中,具备有:将含有导电性物质,及结合剂或可成为给成剂之硬化性材料而成之流动性之除电层形成用组成物,涂布于薄片体以资形成涂膜,而后对于该涂膜实施乾燥处理及/或硬化处理,由而形成除电层之过程,为其特征者。18.一种向异导电性薄片之制造方法,主要系用于制造申请专利范围第9项所述之向异导电性薄片之制造方法中,具备有:将可做为除电层之除电层用薄片接着于薄片体,由而形成除电层之过程,为其特征者。19.一种向异导电性薄片之制造方法,主要系用于制造申请专利范围第9项所述之向异导电性薄片之制造方法中,具备有,在于为了形成薄片体用之模它成形面上形成做为除电层之层,而后,在此模内注入,于硬化后成为弹性高分子物质之高分子形成材料中,含有导电性粒子而成之薄片体成形材料由而形成成形材料层,而后将该成形材料层予以硬化处理之过程为其特征者。20.一种向异导电性薄片,备有厚度方向地具有导电性之由弹性高分子物质所成之向异导电性之薄片体,又具有连接于外部装置或电子零件之端子之连接用导电部,及连接于接地之至少一个除电用导电部而构成为其特征者。21.如申请专利范围第20项所述之向异导电性薄片,其中薄片体乃,该延伸于厚度方向之复数之连接用导电部系藉由绝缘部而互相被绝缘状态地被配置而成,而该除电用导电部即配置于此薄片体之连接用导电部之配置领域以外之空白领域者。22.如申请专利范围第20项或21项所述之向异导电性薄片,其中至少一个之除电用导电部乃分散状态的配置于空白领域内者。23.如申请专利范围第20项或21项所述之向异导电性薄片,其中至少一个之除电用导电部系配置于连接用导电部配置领域之周边者。24.如申请专利范围第20项或21项所述之向异导电性薄片,其中除电用导电部乃含有,由金属粒子、导电性金属氧化物、导电性有机物、炭黑中所选取之至少一种之导电性物质者。25.如申请专利范围第20项或21项其中之一项所述之向异导电性薄片,其中除电用导电部乃,具有与连接用导电部同一之构造者。26.如申请专利范围第20项或21项其中之一项所述之向异导电性薄片,其中除电用导电部乃,具有与连接用导电部同一之组成者。27.一种连接器,由申请专利范围第1项~第26项其中之一项所述之向异导电性薄片所构成特征者。28.一种电路装置之检查方法,使用如申请专利范围第27项所述之连接器以资实施电路装置之电气的检查为其特征者。图式简单说明:第1图表示有关于第1本发明之第1实施形态之向异导电性薄片之构成之说明用断面图。第2图表示使用于制造第1本发明之向异导电性薄片之用之模之一例之构成之说明用断面图。第3图表示在于第2图所示之模内形成薄片成形材料层之状态之说明用断面图。第4图表示将磁场作用于薄片成形材料层上之状态之说明用断面图。第5图表示薄片形成料层之被硬化处理而形成导电部及半导电部之状态之说明用断面图。第6图表示半导电部用薄片之说明用断面图。第7图系表示在半导电部用薄片上形成贯穿孔之状态之说明用断面图。第8图系表示在于半导电部用薄片之贯穿孔内形成导电部用材料层之状态之说明用断面图。第9图系表示于模内形成导电部用材料层之状态之说明用断面图。第10图系表示在于模内形成导电部状态之说明用断面图。第11图系表示在于模内,以围绕导电部状地形成半导电部用材料层之状态之说明用断面图。第12图系表示第1本发明之第2实施形态之向异导电性薄片之构成之说明用断面图。第13图系表示于半导电部用薄片上形成开口状态之说明用断面图。第14图系表示于半导电部用薄片之贯穿孔内形成导电部用材料层,而该半导电部用薄片之被配置于模内之状态之说明用断面图。第15图系表示于模内形成导电部用材料层之状态之说明用断面图。第16图系表示于模内形成导电部及围绕它之绝缘部之状态之说明用断面图。第17图系表示于模内围绕绝缘部地形成半导电部用材料层之状态之说明用断面图。第18图系表示有关第1之本发明之第3实施形态之向异导电性薄片之构成之说明构成图。第19图系表示有关第1之本发明之第4实施形态之向异导电性薄片之构成之说明构成图。第20图系将第1实施形态之向异导电性薄片之介置于检查对象之电路装置与连接器板之间之状态之说明用断面图。第21图系表示导电部之从半导电部之表面突出之状态地形成之第1之本发明之向异导电性薄片之一例之构成之说明用断面图。第22图系表示成一体地设于连接器板之表面之有关第1之本发明之异向电性薄片之一例之构成之说明用断面图。第23图系表示制造第2之本发明之向异导电性薄片之薄片体之模之一例之构成之说明用断面图。第24图系有关构造例1之向异导电性薄片之说明用断面图。第25图系有关构造例2之向异导电性薄片之说明用断面图。第26图系有关构造例3之向异导电性薄片之说明用断面图。第27图系有关构造例4之向异导电性薄片之说明用断面图。第28图系有关构造例5之向异导电性薄片之说明用断面图。第29图系有关构造例5之向异导电性薄片之平面图。第30图系有关构造例6之向异导电性薄片之说明用断面图。第31图系有关构造例7之向异导电性薄片之说明用断面图。第32图系有关构造例2之向异导电性薄片之介置于检查对象之电路装置与连接器板之间之状态之说明图。第33图系表示成一体地设于连接器板之表面之一例之向异导电性薄片之一例之说明用断面图。第34图系表示第3之本发明之异向导电性薄片之一构成例之说明用断面图。第35图系表示第3之本发明之异向导电性薄片之除电用导电部之一配置例之说明用断面图。第36图系表示薄片体之说明用断面图。第37图系表示于薄片体形成贯穿孔之状态之说明用断面图。第38图系表示于薄片体之贯穿孔内形成除电用导电部形成材料之状态之说明用断面图。第39图系表示使用于制造第3之本发明之向异导电性薄片之模之一构成例之说明用断面图。第40图系表示带电防止用导电部材料之被配置于第39图所示之模内之状态之说明用断面图。第41图系表示,在于模内,以围绕带电防止用导电部材料状地干充填了薄片体形成材料之状态之说明用断面图。第42图系表示将磁场作用于薄片体形成材料状态之说明用断面图。第43图系表示薄片体形成材料层之被硬化处理,而形成了连接用导电部及绝缘部之状态之说明用断面图。第44图系表示第3之本发明之向异导电性薄片之其他构成例之说明用断面图。第45图表示第34图所示之向异导电性薄片之介置于检查对象之电路装置与基板之间之状态之说明用断面图。第46图系表示带电防止用导电部与防护用导电部之一齐地配置而成之向异导电性薄片之一构成之说明用断面图。第47图系表示于第34图所示之向异导电性薄片之表面形成了具有导电性之向异导电性薄片之一构成例之说明用断面图。第48图系表示于第34图所示之向异导电性薄片中,将绝缘部之全部做为显示半导电性之半导电性部份之情形之一构成例之说明用断面图。 |
