发明名称 测试晶片及其测试方法
摘要 本发明揭示一种测试晶片及其测试方法,利用球下金属层(Under Bump Metallurgy;UBM)串联所有的焊垫。并可选择不同之间距的焊垫量测其电气特性,且经由该电气特性的量测值可判断生产晶片之相关制程是否有变异产生。
申请公布号 TW561271 申请公布日期 2003.11.11
申请号 TW091104226 申请日期 2002.03.06
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 方仁广
分类号 G01R31/26 主分类号 G01R31/26
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种测试晶片,包含:一晶片;复数个焊垫组,设于该晶片的表面,且任一焊垫组包含复数个彼此电气连接之焊垫;一被动层,系用于电气绝缘于该复数个焊垫之间;复数个金属垫,设于该复数个焊垫的表面;及复数个串联线路,用于电气连接相邻之该复数个金属垫,该复数个焊整组间也因此具有串联的关系。2.如申请专利范围第1项之测试晶片,其中该复数个金属垫系一球下金属层之构造物。3.如申请专利范围第1项之测试晶片,其中该复数个串联线路系一球下金属层之构造物。4.一种测试晶片之测试方法,包含下列步骤:提供一种如申请专利范围第1项之测试晶片;将两根探针分别接触该复数个焊垫组之任两个金属垫;及验证该测试晶片之电性。图式简单说明:图1系一习知之测试晶片之线路布置的示意图;图2系本发明之测试晶片之一较佳实施例之线路布置的示意图;图3系图2延AA剖面线之剖面示意图;及图4系本发明之测试晶片之另一较佳实施例之线路布置的示意图。
地址 高雄市楠梓加工区经三路二十六号