| 主权项 |
1.一种高频电子零件的设计方法,其特征为具备:针对被包含于应制作的高频电子零件的电路网的各被动元件决定各个被动元件所必要的参数的第1步骤,及由复数被动元件的参数及对应于此的图案被登录的资料库中分别选择对应于前述被决定的各参数的图案的第2步骤,及假设前述被选择的图案被配置于相互为横方向的第3步骤,及假设在前述被配置的图案间进行配线的第4步骤。2.如申请专利范围第1项之高频电子零件的设计方法,其中于前述第2步骤被选择的各图案均由多层基板所构成,前述多层基板包含:设有成为GND电极的金属包覆层的GND层,设有成为被动元件本体的金属包覆层之元件形成层,及被设于前述GND层与前述元件形成层之间的间隔件层。3.如申请专利范围第2项之高频电子零件的设计方法,其中于前述第3步骤,各图案相互被配置于横方向;包含于这些图案的前述GND层、前述元件形成层以及前述间隔件层相互构成同一平面。4.如申请专利范围第2项之高频电子零件的设计方法,其中前述第4步骤,至少于被包含于前述各图案的前述间隔件层处进行。5.如申请专利范围第2项之高频电子零件的设计方法,其中前述多层基板,进而包含:由前述元件形成层来看系设于前述间隔件层相反侧的间距层,及被设于前述间距层与前述元件形成层之间的配线层。6.如申请专利范围第5项之高频电子零件的设计方法,其中前述第4步骤,至少于被包含于前述各图案的前述配线层处进行。7.如申请专利范围第5项之高频电子零件的设计方法,其中进而具备在前述间距层搭载电子零件的第5步骤。8.如申请专利范围第2项之高频电子零件的设计方法,其中于前述第2步骤被选择的图案之中构成电容的图案,皆包含被形成于前述元件形成层之至少第1至第3金属包覆(metalize),前述第2金属包覆被设于前述第1金属包覆与前述第3金属包覆之间,前述第1金属包覆藉由前述第2金属包覆实质覆盖其一表面之全体,前述第2金属包覆藉由前述第3金属包覆而实质覆盖其一表面全体。9.如申请专利范围第8项之高频电子零件的设计方法,其中前述第1至第3金属包覆之中,前述第1金属包覆最接近成为前述GND电极的金属包覆。10.如申请专利范围第9项之高频电子零件的设计方法,其中构成前述电容的图案,进而包含被设于前述第1金属包覆与成为前述GND电极的金属包覆之间的第4金属包覆,前述第4金属包覆具有与前述第1金属包覆不同的面积。11.如申请专利范围第2项之高频电子零件的设计方法,其中于前述第2步骤被选择的图案之中构成线圈的图案,系以前述元件形成层之中,成为线圈本体的金属包覆内侧的区域S1的面积,与其外侧的区域S2的面积之关系,被设定成为S2≧S1。12.如申请专利范围第11项之高频电子零件的设计方法,其中成为前述线圈本体的金属包覆系圆弧形。13.如申请专利范围第1项之高频电子零件的设计方法,其中于前述第2步骤被选择之各图案的平面形状相互相等。14.如申请专利范围第1项之高频电子零件的设计方法,其中于前述第2步骤被选择的各图案之平面形状均为正方形。15.如申请专利范围第1项之高频电子零件的设计方法,其中于前述第3步骤,虚设区域对各图案附加于横方向。16.如申请专利范围第2项之高频电子零件的设计方法,其中进行前述第3步骤后,进而具备使被设有成为电容电极的金属包覆之附加层,邻接于各图案具备的前述GND层而附加之第6步骤。17.一种高频电子零件,系由内藏复数被动元件的多层基板所构成的高频电子零件,前述复数被动元件于前述多层基板内相互被配置于横方向。18.如申请专利范围第17项之高频电子零件,其中前述多层基板包含:被形成GND电极的GND层、被形成前述复数被动元件的元件形成层、被设于前述GND层与前述元件形成层之间的间隔件层;前述复数被动元件的输出入端均被拉出至前述间隔件层,于前述间隔件层被配线。19.如申请专利范围第17项之高频电子零件,其中前述多层基板包含:被形成GND电极之GND层、被形成前述复数被动元件之元件形成层、由前述元件形成层所见被设于与前述GND层相反侧的配线层;前述复数被动元件之输出入端均被拉出至前述配线层,于前述配线层被配线。20.如申请专利范围第18项之高频电子零件,其中于前述复数被动元件包含电容,前述电容均包含被形成于前述元件形成层之至少第1至第3金属包覆,前述第2金属包覆被设于前述第1金属包覆与第3金属包覆之间,前述第1金属包覆藉由前述第2金属包覆实质覆盖其一表面之全体,前述第2金属包覆藉由前述第3金属包覆而实质覆盖其一表面全体。21.如申请专利范围第20项之高频电子零件,其中前述第1至第3金属包覆之中,前述第1金属包覆最接近成为前述GND电极的金属包覆。22.如申请专利范围第21项之高频电子零件,其中前述电容,进而包含被设于前述第1金属包覆与成为前述GND电极的金属包覆之间的第4金属包覆,前述第4金属包覆,具有与前述第1金属包覆不同的面积。23.如申请专利范围第18.19.20.21或22项之高频电子零件,其中于前述复数被动元件含有线圈,前述线圈系以前述元件形成层之中,成为线圈本体的金属包覆内侧的区域S1的面积,与成为前述线圈本体的金属包覆所构成的多层基板的端部或者相邻的被动元件之金属包覆为止的区域S2的面积之关系,系S2≧S1。24.如申请专利范围第23项之高频电子零件,其中构成前述线圈的金属包覆系圆弧形。25.如申请专利范围第17项之高频电子零件,其中于前述多层基板的表面被搭载电子零件。26.如申请专利范围第18项之高频电子零件,其中前述多层基板,进而包含邻接于前述GND层被设有以前述GND电极作为对向电极之电容电极的附加层。27.一种高频电子零件,系由内藏复数被动元件的多层基板所构成的高频电子零件,其特征为:于前述复数被动元件包含电容,前述电容包含至少第1至第3金属包覆,前述第2金属包覆被设于前述第1金属包覆与第3金属包覆之间,前述第1金属包覆藉由前述第2金属包覆实质覆盖其一表面之全体,前述第2金属包覆藉由前述第3金属包覆而实质覆盖其一表面全体。28.如申请专利范围第27项之高频电子零件,其中前述多层基板,包含几乎全面被形成GND电极的GND层,前述第1至第3金属包覆之中,前述第1金属包覆最接近成为前述GND电极的金属包覆。29.如申请专利范围第28项之高频电子零件,其中前述电容,进而包含被设于前述第1金属包覆与前述GND电极之间的第4金属包覆,前述第4金属包覆,具有与前述第1金属包覆不同的面积。30.一种高频电子零件,系由内藏复数被动元件的多层基板所构成的高频电子零件,其特征为:于前述复数被动元件含有线圈,成为前述线圈本体的金属包覆内侧的区域S1的面积,与成为前述本体的金属包覆所构成的多层基板的端部或者相邻的被动元件之金属包覆为止的区域S2的面积之关系,系S2≧S1。31.如申请专利范围第30项之高频电子零件,其中成为前述线圈本体的金属包覆系圆弧形。图式简单说明:第1图系显示关于本发明较佳实施型态的高频电子零件的设计方法的流程图。第2图系显示于步骤S10被决定的电容图案10之一例的简单分解斜视图。第3图系第2图所示电容图案10的简单剖面图。第4图系显示于步骤S10被决定的线圈图案30之一例的简单分解斜视图。第5图系第4图所示线圈图案30的简单透视平面图。第6图系显示于步骤S10被决定的线圈图案30′之一例的简单分解斜视图。第7图系第6图所示线圈图案30′的简单透视平面图。第8图系利用本实施型态的方法制作的高频电子零件的电路网之一例。第9图系构成第8图所示低通滤波器电路的各被动元件C0~C2以及L0的配置之例。第10图系显示于被实施配线的状态下第8以及9图所示的低通滤波器电路的构造的分解斜视图。第11图系显示于步骤S10被决定的电容图案130之一例的简单分解斜视图。第12图系显示于步骤S10被决定的线圈图案150之一例的简单分解斜视图。第13图系显示于被实施配线的状态下第8以及9图所示的低通滤波器电路的构造的分解斜视图。第14图系显示于间距层上搭载电子零件165之例的分解斜视图。第15图系由3个被动元件51~53形成的高频电子零件50的配置例。第16图系由5个被动元件61~65形成的高频电子零件60的配置例。第17图系由8个被动元件71~78形成的高频电子零件70的配置例。第18图系由被选择用一边长为1.0mm的系列的被动元件81以及被选择用一边长为0.5mm的系列的被动元件82,83所形成的高频电子零件80的配置例。第19图系由被选择用一边长为0.5mm的系列的被动元件91~93以及被选择用一边长为0.3mm的系列的被动元件94所形成的高频电子零件90的配置例。第20图系由被选择用一边长为0.5mm的系列的被动元件101~103以及被选择用一边长为0.8mm的系列的被动元件104所形成的高频电子零件100的配置例。第21图系由平面形状均为长方形的6个被动元件111~116所形成的高频电子零件110的配置例。第22图系由被选择用一边长为0.5mm的系列的被动元件121(正方形型态),被选择用一边长为0.3mm的系列的被动元件122(正方形型态),被选择用各边长为0.5mm0.3mm的长方形型态的被动元件123,124所形成的高频电子零件120的配置例。第23图系显示采用5层元件形成层的电容图案170的简单剖面图。第24图系显示采用5层元件形成层的电容图案180的简单剖面图。第25图系显示依照附加对地容量之例的高频电子零件190的分解斜视图。 |
