具有双杂质态接触层之发光二极体

摘要

一种具有双杂质态接触层之发光二极体，包含一基板、形成于该基板上之一发光叠层、形成于该发光叠层上之一双杂质态接触层、以及形成于该接触层上之一透明氧化物导电层。

主权项

1.一种具有双杂质态接触层之发光二极体,至少包含:一基板;形成于该基板上之一发光叠层;形成于该发光叠层上,且至少具有一n型与一p型共同存在之一双杂质态接触层;以及形成于该接触层上之一透明氧化物导电层。2.一种具有双杂质态接触层之发光二极体,包含:一绝缘基板;形成于该绝缘基板上之一缓冲层;形成于该缓冲层上之一n型接触层,其中,该n型接触层之上表面包含一第一表面区域与一第二表面区域;形成于该第一表面区域上之一多重量子井发光层;形成于该发光层上之一p型接触层;形成于该p型接触层上,且至少具有一n型与一p型杂质共同存在之一双杂质态接触层;形成于该双杂质态接触层上之一透明氧化物导电层;形成于该透明氧化物导电层上之p型前电极;以及形成于该n型接触层之第二表面区域上之一n型后电极。3.一种具有双杂质态接触层之发光二极体,包含:一n型后电极;形成于该n型后电极上之一n型导电基板;形成于该n型导电基板上之一缓冲层;形成于该缓冲层上之一n型接触层;形成于该n型接触层上之一多重量子井发光层;形成于该发光层上之一p型接触层;形成于该p型接触层上,且至少具有一n型与一p型共同存在之一双杂质态接触层;形成于该双杂质态接触层上之一透明氧化物导电层;以及形成于该透明导电层上之一p型电极。4.依申请专利范围第2项之一种具有双杂质态接触层之发光二极体,其中该绝缘基板包含选自于蓝宝石、LiGaO2.及LiAlO2所构成材料群组中的一种材料。5.依申请专利范围第3项之一种具有双杂质态接触层之发光二极体,其中该n型导电性基板包含选自于GaN、SiC、Si、Ge、AlN、GaAs、InP及GaP所构成材料群组中的一种材料。6.依申请专利范围第2项或第3项之一种具有双杂质态接触层之发光二极体,其中该缓冲层包含选自于AlInGaN系及Ⅱ-nitride系材料所构成材料群组中的一种材料。7.依申请专利范围第2项或第3项之一种具有双杂质态接触层之发光二极体,其中该p型接触层包含选自于GaN、AlGaN及InGaN所构成材料群组中的一种材料。8.依申请专利范围第2项或第3项之一种具有双杂质态接触层之发光二极体,其中该n型接触层包含选自于GaN、AlGaN及InGaN所构成材料群组中的一种材料。9.依申请专利范围第2项或第3项之一种具有双杂质态接触层之发光二极体,其中该多重量子井发光层包含r个氮化铟镓量子井与r+1个氮化铟镓障壁层,使得每一个氮化铟镓量子井上下二侧皆有一氮化铟镓障壁层,其中,r≧1,每一氮化铟镓量子井系由IneGal-eN构成,每一氮化铟镓障壁层系由InfGal-fN构成,且0≦f