| 主权项 |
1.一种具有自我对准轻掺杂汲极(Self-aligned LDD)结构之多晶矽薄膜电晶体,包括有:一绝缘透明基底;一多晶矽层系形成于该基底表面上,其包含有一通道区,一轻掺杂汲极结构系形成于该通道区之外围区域,以及一源/汲极区系形成于该轻掺杂汲极结构之外围区域;一闸极绝缘层系覆盖于该多晶矽层表面上;一第一金属层,系定义形成于该闸极绝缘层上,且覆盖该通道区之上方区域,上述之第一金属层系由下列之一种金属材质所构成:Mo、MoW、Ti;以及一第二金属层,系定义形成于该第一金属层表面上,且覆盖该通道区之上方区域,上述之第二金属层系由下列之一种金属材质所构成:Al、Al-Nd、Cr。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中该绝缘透明基底系由玻璃所构成。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中该轻掺杂汲极结构之掺杂浓度系小于该源/汲极区之掺杂浓度。4.一种具有自我对准轻掺杂汲极(Self-aligned LDD)结构之多晶矽薄膜电晶体的制作方法,包括有下列步骤:(a)提供一绝缘透明基底,其表面上包含有一多晶矽层,一闸极绝缘层系覆盖于该多晶矽层表面上;(b)依序于该闸极绝缘层表面上形成一第一金属层、一第二金属层以及一具有预定图案之光阻层,其中该第一金属层系由下列一种可以被氟基(F-based)之气体所蚀刻之金属材质所构成:Mo、MoW、Ti等,其中该第二金属层系由下列一种不可被氟基(F-based)之气体所蚀刻之金属材质所构成:Al、Al-Nd、Cr等;(c)进行乾蚀刻制程,将未被该光阻层覆盖之该第二金属层与该第一金属层去除;(d)进行一第一离子布値制程,以使该光阻层周围之多晶矽层形成一重掺杂区;(e)进行湿蚀刻制程,将该第二金属层之周边部分去除,以使该第一金属层之周边部分区域曝露;(f)将该光阻层去除;以及(g)进行乾蚀刻制程,将未被该第二金属层覆盖之该第一金属层去除,以使该第二金属层与该第一金属层之侧壁切齐。5.如申请专利范围第4项所述之方法,另包含有一步骤(h):进行一第二离子布値制程,以使该第二金属层与该第一金属层周围之多晶矽层之未掺杂区域形成一轻掺杂区。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该绝缘透明基底系由玻璃所构成。图式简单说明:第1A与1B图显示习知具有LDD结构之多晶矽TFT的制作方法示意图。第2A至2E图显示本发明之自我对准LDD多晶矽TFT的制作方法示意图。 |
