| 主权项 |
1.一种超微孔的制作方法,至少包括下列步骤:提供一基底及图案化之一第一导线层,其中该第一导线层系配置于该基底之上;全面性地形成一第一铜镀层于该基底与该第一导线层之表面;形成一第一光阻层于该第一铜镀层上;移除部分该第一光阻层,以暴露出部分该第一铜镀层;形成一导柱层于暴露出之部分该第一铜镀层上;移除该第一光阻层;移除暴露出之部分该第一铜镀层;形成一绝缘层于该基底与该导柱层之表面;去除部分的该绝缘层,并暴露出该导柱层;以及形成图案化之一第二导线层于该导柱层上。2.如申请专利范围第1项所述之超微孔的制作方法,其中该基底包括一内层基板。3.如申请专利范围第1项所述之超微孔的制作方法,其中该基底之材质包括绝缘材料。4.如申请专利范围第1项所述之超微孔的制作方法,其中移除部分该第一光阻层之方法包括曝光、显影。5.如申请专利范围第1项所述之超微孔的制作方法,其中形成该导柱层之方法包括电镀。6.如申请专利范围第1项所述之超微孔的制作方法,其中去除部分的该绝缘层之方法包括研磨。7.如申请专利范围第1项所述之超微孔的制作方法,其中该第一导线层之图案化方法包括微影蚀刻。8.如申请专利范围第1项所述之超微孔的制作方法,其中该第二导线层之图案化方法包括微影蚀刻。9.一种超微孔的制作方法,至少包括下列步骤:提供一基底及图案化之一第一导线层,其中该第一导线层系配置于该基底之上;全面性地形成一第一铜镀层于该基底与该第一导线层之表面;形成一第一光阻层于该第一铜镀层上;移除部分该第一光阻层,以暴露出部分该第一铜镀层;形成一导柱层于暴露出之部分该第一铜镀层上;移除该第一光阻层;移除暴露出之部分该第一铜镀层;形成一绝缘层于该基底与该导柱层之表面;去除部分的该绝缘层,并暴露出该导柱层;全面性地形成一第二铜镀层于该导柱层与该绝缘层之表面;形成一第二光阻层于该第二铜镀层上;移除部分该第二光阻层,以暴露出部分该第二铜镀层;形成一第二导线层于暴露出之该第二铜镀层上;以及移除该第二光阻层。10.如申请专利范围第9项所述之超微孔的制作方法,其中该基底包括一内层基板。11.如申请专利范围第9项所述之超微孔的制作方法,其中该基底之材质包括绝缘材料。12.如申请专利范围第9项所述之超微孔的制作方法,其中该第一导线层之图案化方法包括微影蚀刻。13.如申请专利范围第9项所述之超微孔的制作方法,其中移除部分该第一光阻层之方法包括曝光、显影。14.如申请专利范围第9项所述之超微孔的制作方法,其中形成该导柱层之方法包括电镀。15.如申请专利范围第9项所述之超微孔的制作方法,其中去除部分的该绝缘层之方法包括研磨。16.如申请专利范围第9项所述之超微孔的制作方法,其中移除部分该第二光阻层之方法包括曝光、显影。17.如申请专利范围第9项所述之超微孔的制作方法,其中形成该第二导线层之方法包括电镀。图式简单说明:第1A-1G图为以雷射钻孔的方式来制作印刷电路板之相邻两导线层间的导孔,其制作流程之剖面示意图;第2A~2J图,其为依照本发明之一较佳实施例,一种超微孔之制作方法,其制作流程之剖面图;以及第3A-3F图,其为本发明之另一种形成图案化导线层的流程剖面图。 |
