| 主权项 |
1.一种形成一成长式源极/汲极场效电晶体之方法,包括下列步骤:蚀刻一第一厚度之一矽层之一闸极区,藉以使接触窗能矽化成对应一预期通道厚度之一第二厚度;于该闸极区中,形成一闸极结构;以及于该第一厚度之区域中之该闸极结构附近,形成汲极与源极结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包括下列步骤:植入掺质于该第一厚度之该矽层中;以及扩散该掺质至该第二厚度之区域中。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包括调整该第二厚度的步骤。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二厚度是依据该闸极区之长度而定。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二厚度是依据该闸极区之宽度而定。6.一种形成一成长式源极/汲极场效电晶体之方法,该方法至少包括下列步骤:形成一矽于一绝缘层上,而部分该绝缘层分别定义第一与第二凹洞于该绝缘层上之该矽之顶部与底部表面上,使得介于该凹洞间之该矽定义一通道区;形成一埋式氧化层界面,该埋式氧化层界面具有一顶部与一底部表面,且该埋式氧化层界面之该顶部表面具有一成长部分,而该成长部分契合该第二凹洞于该绝缘层上之该矽之该底部表面上;形成高起状源极与汲极区,该高起状源极与汲极区系形成于该绝缘层上之该矽之该顶部表面上;以及形成一闸极于该绝缘层上之该矽之该顶部表面上之该凹洞中。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中更包括下列步骤:植入杂质于该绝缘层上之该矽中;以及活化该杂质,使该掺质再分配至该通道区中。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中更包括矽化接触窗的步骤。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该成长部分系来自于氧化物成长。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该埋式氧化层界面之该成长部分的尺寸是依据该闸极长度而定。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该氧化物成长增加,则通道长度增加。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该埋式氧化层界面之该成长部分的尺寸是依据该闸极宽度而定。13.如申请专利范围第6项所述之方法,其中更包括用以形成氧化层间隙壁于该绝缘层上之该矽之该第一凹洞中的步骤。14.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该高起状源极与汲极区系使用用于做为闸极源极与汲极隔离之氧化层间隙壁来形成。15.一种成长式源极与汲极场效电晶体,其至少包括:一第一厚度之一矽层之一闸极区,而该闸极区足以使接触窗能矽化成对应一预期通道厚度之一第二厚度;一闸极结构,位于该闸极区中;以及汲极与源极结构,相邻于该第一厚度之区域中之该闸极结构。16.如申请专利范围第15项所述之成长式源极与汲极场效电晶体,其中该第二厚度是依据该闸极区之长度而定。17.如申请专利范围第16项所述之成长式源极与汲极场效电晶体,其中该第二厚度是依据该闸极区之宽度而定。图式简单说明:第1图为本发明用于在SOI上形成CMOS之一自对准成长之源极/汲极之过程的范例流程图;第2-17图为依照第1图之步骤之在SOI上形成CMOS之自对准成长之源极/汲极的各个阶段剖面图;以及第18图为本发明之SOI上之CMOS之自对准成长之源极/汲极的剖面图。 |
