| 主权项 |
1.一种处理一半导体物件的制程室,该制程室至少包含:一制程室本体,其系具有一底墙,墙内设有一抽气通道;一支撑物件,其系位于制程室本体内部,该支撑物件至少包含:一上表面,以及一面对底墙的下表面;其中该支撑物件具有一第一宽度,其系足以支撑半导体物件于其上表面;以及一柱子,其系自制程室本体底墙延伸至该支撑物件的下表面,该柱子支撑着该支撑物件;其中柱子具有一第二宽度,该宽度基本上小于第一宽度。2.如申请专利范围第1项所述之一种处理一半导体物件的制程室,其中上述之物件支撑大致上是圆形的,具有一圆心,且其中上述之柱子基本上连接至物件支撑的圆心。3.如申请专利范围第2项所述之一种处理一半导体物件的制程室,其中上述之抽气通道至少有一部分系位于该支撑物件之下。4.如申请专利范围第1项所述之一种处理一半导体物件的制程室,其中上述之支撑物件大致上是圆形的,具有一圆心,且其中上述之柱子基本上系从偏离中心的位置连接至该支撑物件。5.如申请专利范围第4项所述之一种处理一半导体物件的制程室,其中上述之抽气通道基本上全部位于支撑物件的下方。6.如申请专利范围第1项所述之一种处理一半导体物件的制程室,其中上述之柱子至少包含摺柱,其系可让该支撑物件相对于制程室之底墙移动。7.如申请专利范围第1项所述之一种处理一半导体物件的制程室,其中该支撑物件系藉由柱子来供应直流电位。8.如申请专利范围第1项所述之一种处理一半导体物件的制程室,其系藉由柱子供给氦气予上述之支撑物件,以增强该支撑物件与半导体晶圆间之热传导性。9.如申请专利范围第1项所述之一种处理一半导体物件的制程室,其系藉由柱子供给冷却剂予设置于该支撑物件内的内部冷却轴颈(journals)。10.如申请专利范围第1项所述之一种处理一半导体物件的制程室,其中上述之柱子至少包含设置于该支撑物件至制程室底墙间的摺柱,该摺柱允许柱子沿着垂直方向于该支撑物件与该制程室底墙间作线性移动。11.如申请专利范围第1项所述之一种处理一半导体物件的制程室,其中上述之柱子系可将无线电频率能量耦合至该支撑物件上。12.一种半导体制程系统,其系可于实质上相同的制程条件下同时处理复数个半导体物件,该制程系统至少包含:一制程室本体,其系具有一底墙,墙内设有一抽气通道;一真空帮浦,其与抽气通道间系以流体传递;复数个支撑物件,其系设置于该制程室本体内部,每一个支撑物件至少包含:一上表面,以及一面对底墙之下表面;复数个柱子,每个均支撑着该复数个支撑物件之一,每个柱子自底墙延伸至各自之支撑物件的下表面;其中上述之每个支撑物件均有足够的宽度,以支撑复数个半导体物件之一于其上表面,且其中上述之每个支撑物件基本上较各自的柱子要宽。13.如申请专利范围第12项所述之制程系统,其中上述之抽气通道至少有一部分系位于每一该复数个支撑物件的下方。14.如申请专利范围第12项所述之制程系统,其系藉由各自的柱子供给直流电位、氦气与冷却剂予每一支撑物件。15.如申请专利范围第12项所述之制程系统,其中该复数个柱子之之每一个均包含摺柱,该摺柱允许各自的支撑物件相对于制程室本体的底墙沿着柱子的垂直轴方向作线性移动。16.一种半导体制程系统,其系可于实质上相同的制程条件下同时处理复数个半导体物件,该制程系统至少包含:一制程室,其系具有一第一底墙,墙内设有抽气通道;一真空帮浦,其系与抽气通道间彼此以流体传递;一第一支撑物件,其系位于制程室本体内部,该第一支撑物件至少包含:一第一上表面,以及一第一面对第一底墙的下表面,其中第一支撑物件有足够的宽度支撑两个半导体物件之一于其第一上表面上,而第一个支撑物件基本上比第一柱子要宽;一第二支撑物件,其系位于该制程室本体内部,该第二支撑物件至少包含:一第二上表面,以及一第二面对底墙的第二下表面;以及一第二柱子,其系支撑着第二个支撑物件,第二柱子自底墙延伸至第二下表面,其中该第二支撑物件系有足够的宽度以支撑两个晶圆物件中的另外一个于其第二个上表面上,第二个支撑物件基本上比第二个柱子要宽;其中上述之抽气通道至少有一部分系位于第一支撑物件下方且至少有一部分系位于第二支撑物件下方。17.如申请专利范围第16项所述之制程系统,其中上述第一及第二支撑物件之任一者均具有一几何中心,且其中上述第一柱子基本上连接至第一支撑物件的几何中心,且第二柱子基本上也是连接至该第二支撑物件的几何中心。18.如申请专利范围第16项所述之制程系统,其中第一及第二支撑物件系藉由各自的柱子来供应直流电位、氦气及冷却剂。19.如申请专利范围第16项所述之制程系统,其中上述之第一柱子至少包含摺柱,该摺柱系能允许第一支撑物件可相对于制程室本体的底墙沿着第一柱子的垂直轴方向作线性移动;以及其中该第二柱子至少包含摺柱,该摺柱系能允许第二支撑物件相对于制程室本体的底墙沿着第二个柱子的垂直轴方向作线性移动。图式简单说明:第1图为一根据第一个习知技术配置之具有一圆柱状晶圆支撑结构的制程室之局部剖面图。第2图为一根据第二个习知技术配置之具有一悬臂梁晶圆支撑结构的制程室之局部剖面图。第3图为一根据第三个习知技术配置的制程室之横剖面图。第4图为第3图制程室的上视图。第5图为一根据第四个习知技术配置的制程室之横剖面图。第6图为一根据本发明的第一个具体实施例配置的制程室之部分剖面图。第7图为一根据本发明的第二个具体实施例配置的制程室之部分剖面图。第8图为一根据本发明的第三个具体实施例配置的双制程区域晶圆制程系统之部分剖面图。第9图为另一根据本发明的第四个具体实施例配置的双制程区域晶圆制程系统之部分剖面图。第10图为一与本发明的各个具体实施例一致的晶圆支撑结构之部分剖面图。 |
