| 发明名称 |
A METHOD FOR FORMING CONFORMAL NITRIFIED TANTALUM SILICIDE FILMS BY THERMAL CVD FOLLOWED BY NITRIDATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003247347(A1) |
申请公布日期 |
2003.11.11 |
| 申请号 |
AU20030247347 |
申请日期 |
2003.04.24 |
| 申请人 |
TOKYO ELECTRON LIMITED |
发明人 |
AUDUNN LUDVIKSSON;JOSEPH, T. HILLMAN |
| 分类号 |
C23C16/42;C23C16/56;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52;(IPC1-7):H01L21/768 |
主分类号 |
C23C16/42 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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