| 发明名称 |
Method for forming a nickel silicide layer on a silicon substrate |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003266984(A8) |
申请公布日期 |
2003.11.11 |
| 申请号 |
AU20030266984 |
申请日期 |
2003.04.25 |
| 申请人 |
NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE;AEROJET-GENERAL CORPORATION |
发明人 |
SYAMAL KUMAR LAHIRI;SOO JIN CHUA;DONGZHI CHI;RINUS TEK PO LEE |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/44;H01L21/283;H01L21/24;H01L21/476;H01L29/45 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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