| 发明名称 |
IMPROVING THE TRIGGERING OF AN ESD NMOS THROUGH THE USE OF AN N-TYPE BURIED LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2002343551(A1) |
申请公布日期 |
2003.11.11 |
| 申请号 |
AU20020343551 |
申请日期 |
2002.10.18 |
| 申请人 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
RONALD, BRETT HULFACHOR |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8234;H01L23/62;H01L27/02;H01L27/06;H01L29/76;H01L29/78;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119;(IPC1-7):H01L23/62 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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