摘要 |
Ein Zuschnitt für eine halbtonartige Phasenverschiebungsmaske mit zumindest einem Phasenverschieberfilm auf einem transparenten Substrat, welcher Phasenverschieberfilm eine vorbestimmte Transmittanz für ein exponiertes Licht sowie einen vorbestimmten Phasenunterschied für das transparente Substrat hat, wobei der Phasenverschieberfilm aus einem mehrschichtigen Film besteht, in welchem Filme vorgesehen sind, die zumindest zwei Schichten beinhalten, und zwar eine obere Schicht, die der Oberfläche am nächsten ausgebildet ist, und eine untere Schicht, die darunter ausgeformt ist, wobei eine Dicke der oberen Schicht so gewählt ist, dass ein Brechungsindex des Films der oberen Schicht für eine Wellenlänge eines Kontrolllichts, das verwendet wird, um eine halbtonartige Phasenverschiebungsmaske zu kontrollieren, die unter Verwendung des Zuschnitts für die halbtonartige Phasenverschiebungsmaske hergestellt wurde, kleiner ist als der des Films der unteren Schicht und wobei eine Oberflächenreflektanz für das Kontrolllicht des Phasenverschieberfilms maximiert ist oder sich einem Maximum annähert. |