Grabenisolationsprozesse unter Verwendung einer Polysilizium-unterstützten Füllung

摘要

Offenbart wird ein Verfahren zum gleichzeitigen Bereitstellen von Grabenisolationen für den Arraybereich und den Hilfsbereich eines aus einem Substratmaterial hergestellten Halbleitersubstrats, wobei das Verfahren folgendes umfaßt: Bereitstellen einer ersten Hartmaskenschicht für den Arraybereich und den Hilfsbereich, wobei die erste Hartmaske Maskenöffnungen umfaßt, die Grabenisolationen im Arraybereich und im Hilfsbereich definieren, Bereitstellen von tiefen Arraygrabenisolationen in den Arraybereichen, Bereitstellen einer zudeckenden, planarisierten Schicht aus einem leitenden Material sowohl über den Hilfsbereich als auch dem Arraybereich, das ausreicht, um die Maskenöffnungen und die tiefen Arraygrabenisolationen zu füllen, Ätzen des leitenden Materials durch das erste Hartmaskenmaterial bis hinunter in die Halbleitersubstrate, um Hilfsgrabenisolationen zu bilden, so daß sowohl tiefe Arraygrabenisolationen als auch Hilfsgrabenisolationen gleiche Tiefe aufweisen und wobei ein leitendes Element, das eine Menge des leitenden Materials umfaßt, im unteren Teil jedes der tiefen Arraygräben zurückbleibt.