首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zur Herstellung von Strukturen in einer Halbleiterschaltung, wobei eine Verringerung plasmainduzierter Aufladung eintritt
摘要
申请公布号 DE10111989(C2) 申请公布日期 2003.11.06
申请号 DE20011011989 申请日期 2001.03.13
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 KRIZ, JAKOB;GRATZ, ACHIM;POLEI, VERONIKA;SPERL, IRENE;RUDER, THOMAS
分类号 H01L21/02;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/768;H01L23/485;(IPC1-7):H01L21/311;H01L23/60 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com