| 发明名称 | 硅、金属、介质膜桥射频微机电系统开关 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥RF MEMS开关，其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜(同时也是上电极)组成，介质膜制备在活动桥上，而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案，消除了介质层制备在传输线上引起的信号传输损耗，减小RF MEMS开关的插入损耗；以硅为桥膜，提高RF MEMS开关的开关性能、使用寿命和可靠性，也便于实现RF MEMS开关的制备工艺与IC工艺的兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN1127106C | 申请公布日期 | 2003.11.05 |
| 申请号 | CN01102116.0 | 申请日期 | 2001.01.21 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 金玉丰;张锦文;郝一龙;张大成;王阳元 |
| 分类号 | H01H13/702 | 主分类号 | H01H13/702 |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 1.一种硅、金属、介质膜桥射频微机电系统开关，由活动桥、信号电极、地电极和低损耗衬底组成，其特征是所述活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜组成，介质膜制备在活动桥上。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区中关村北京大学 | ||