| 发明名称 | 存储器与逻辑电路混合形成于一芯片的半导体器件及其制法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及存储器与逻辑电路混合形成于一芯片的半导体器件及其制法。半导体基板具有逻辑区及存储器区。在逻辑区及存储器区上形成多层布线层。至少在逻辑区的多层布线层与逻辑区的元件形成层之间形成防止H<SUB>2</SUB>O向逻辑区内扩散的防扩散膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1453871A | 申请公布日期 | 2003.11.05 |
| 申请号 | CN03122276.5 | 申请日期 | 2003.04.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 梶田明广 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/822 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 包于俊 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体基板、在所述半导体基板内形成的，包含元件形成层的逻辑区、在所述半导体基板内形成的，包含元件形成层的存储器区、分别在所述逻辑区及所述存储器区的上方形成的多层布线层、以及至少在所述逻辑区的多层布线层与所述逻辑区的元件形成层之间形成的防扩散膜，所述防扩散膜防止H2O向所述逻辑区内扩散。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||